Новини от индустрията

CVD TAC покритието е процес за формиране на плътно и трайно покритие върху субстрат (графит). Този метод включва отлагане на TaC върху повърхността на субстрата при високи температури, което води до покритие от танталов карбид (TaC) с отлична термична стабилност и химическа устойчивост.

С напредването на процеса на 8-инчов силициев карбид (SiC) производителите ускоряват преминаването от 6-инчови към 8-инчови. Наскоро ON Semiconductor и Resonac обявиха актуализации за производството на 8-инчов SiC.

Тази статия представя най-новите разработки в новосъздадения PE1O8 CVD реактор на Hot-Wall на италианската компания LPE и способността му да извършва равномерна епитаксия от 4H-SIC на 200 мм SIC.