Wafer Substrate е пластина, изработена от полупроводников монокристален материал. Субстратът може директно да влезе в процеса на производство на пластини за производство на полупроводникови устройства или може да бъде обработен чрез епитаксиален процес за производство на епитаксиални пластини.
Wafer Substrate, като основна поддържаща структура на полупроводникови устройства, влияе пряко върху производителността и стабилността на устройствата. Като "основа" за производството на полупроводникови устройства, серия от производствени процеси като растеж на тънък филм и литография трябва да бъдат извършени върху субстрата.
Обобщение на видовете субстрати
- Еднокристална силиконова пластина: в момента най-разпространеният материал за субстрат, широко използван в производството на интегрални схеми (IC), микропроцесори, памети, MEMS устройства, захранващи устройства и др.;
- SOI субстрат: използва се за високопроизводителни интегрални схеми с ниска мощност, като високочестотни аналогови и цифрови схеми, RF устройства и чипове за управление на захранването;
- Сложни полупроводникови субстрати: Субстрат от галиев арсенид (GaAs): микровълнови и комуникационни устройства с милиметрови вълни и др. Субстрат от галиев нитрид (GaN): използван за радиочестотни усилватели на мощност, HEMT и др. Субстрат от силициев карбид (SiC): използван за електрически превозни средства, преобразуватели на енергия и други захранващи устройства Субстрат от индиев фосфид (InP): използван за лазери, фотодетектори и др.;
- Сапфирен субстрат: използва се за производство на светодиоди, RFIC (радиочестотна интегрална схема) и др.;
Vetek Semiconductor е професионален доставчик на SiC субстрати и SOI субстрати в Китай. Нашият 4H полуизолиращ тип SiC субстрат и 4H полуизолиращ тип SiC субстрат се използват широко в ключови компоненти на оборудването за производство на полупроводници.
Vetek Semiconductor се ангажира да предоставя усъвършенствани и адаптивни продукти за вафлен субстрат и технически решения с различни спецификации за полупроводниковата индустрия. Искрено очакваме с нетърпение да станем ваш доставчик в Китай.
Ключови характеристики
- Професионален доставчик на SiC субстрати (4H N-тип и полуизолиращи) и SOI субстрати за захранване, RF и разширени IC приложения.
- Широко портфолио от субстрати, обхващащо силиций, съставни полупроводници (SiC, GaN, GaAs, InP), сапфир и специализирани пластини (PZT, SiN, фиктивни пластини).
- Високо качество на материала и последователност на процеса, подходящи за епитаксиален растеж, производство на устройства и контрол на процеса на оборудване.
- Персонализируеми спецификации и технически решения, съобразени с различни изисквания за производство на полупроводници.
- Надеждно базирано в Китай снабдяване с инженерна поддръжка на приложения за захранващи устройства, MEMS, LED, RF и инструменти за термични процеси.
Категории продукти
- SiC субстрати: 4H N-тип и полуизолационни SiC пластини за захранващи устройства и радиочестотни приложения
- SOI субстрати: пластини силиций върху изолатор за високопроизводителни интегрални схеми с ниска мощност и радиочестотни устройства
- Специални/процесни вафли: фиктивни вафли с CVD SiC покритие, SiN субстрати, PZT пиезоелектрични вафли върху Si/SOI
- Други съставни / сапфирени субстрати: поддържащи LED, RF и оптоелектронни приложения (както е посочено в прегледа)
Приложения
За да отговори на разнообразните нужди на производството на полупроводници, VeTek предлага целеви продукти за вафлен субстрат. Следната таблица ги класифицира по основни области на приложение:
| Поле за приложение |
Типични продукти |
Описание на приложението |
| Захранващи устройства и електромобили |
4H-SiC субстрати (N-тип / полуизолиращи) |
Субстрати от силициев карбид за силови преобразуватели, електрически превозни средства и захранващи устройства с високо напрежение, изискващи висока температура и висока ефективност. |
| RF / високочестотни интегрални схеми |
SOI субстрати, свързани с GaN / GaAs субстрати, полуизолиращ SiC |
Високопроизводителни субстрати с ниска мощност за RF устройства, усилватели на мощност, HEMT и високочестотни аналогови/цифрови схеми. |
| MEMS и сензори |
PZT пиезоелектрични пластини (PZT върху Si/SOI), SiN субстрати |
Пиезоелектрични и високоякостни субстрати за MEMS преобразуватели, сензори, 5G, медицински и носими устройства, изискващи електромеханично преобразуване. |
| Контрол на процеси и тестване |
CVD SiC покритие Dumy вафла |
Манекени и тестови пластини за квалификация на оборудването, мониторинг на процеса и контрол на замърсяването в производствени линии за полупроводници. |
| LED / Оптоелектроника |
Сапфирови субстрати, съставни полупроводникови субстрати (InP и др.) |
Субстрати за производство на светодиоди, лазери, фотодетектори и RFIC приложения, изискващи оптични и високочестотни характеристики. |
| Разширена IC / логика и памет |
Монокристални силициеви пластини, SOI субстрати |
Основни и усъвършенствани субстрати за интегрални схеми, микропроцесори, памети и чипове за управление на захранването. |
За по-подробни решения за съвпадение на процеси, моля, вижтеЕпитаксия от силициев карбидиСиликонова епитаксиясвързани страници.
Като професионален производител и доставчик на вафли в Китай, ние разполагаме със собствена фабрика. Независимо дали имате нужда от персонализирани услуги, за да посрещнете специфичните нужди на вашия регион или искате да закупите усъвършенствана и издръжлива вафла, произведена в Китай, можетеоставете ни съобщение.
