Примерно картографиране

Въз основа на физическата проба, предоставена от клиента (дори ако е износена или счупена използвана част), ние предлагаме услуга от пълен спектър, варираща от обратно инженерство на физическа структура до физикохимично характеризиране на ниво материал. Използвайки високопрецизно оборудване за инспекция от полупроводников клас, ние точно количествено определяме сложни 3D геометрични структури, свойства на интерфейса покритие/субстрат и физически параметри на материала, като гарантираме, че продуктът с обратно проектиране отговаря на или надвишава стандартите на OEM по отношение на физическото прилягане, съвместимостта на процесите и експлоатационния живот (замяна на функцията за форма-прилягане).

Какво измерваме (технически резултати):

• Размерни и геометрични толеранси:Използвайки високопрецизни машини за измерване на координати (CMM) и оптични 3D скенери, ние извършваме пълноразмерно моделиране на облак от точки и реконструкция на сложни кухини структури и монтажни/локализиращи отвори, постигайки точност до микронно ниво.
• Микроморфология и плоскост на повърхността:Използване на интерферометри за бяла светлина и оптични профилометри за оценка на грапавостта на повърхността в нанометров мащаб (Ra) и плоскостта на голяма площ, отговаряйки на изискванията за работа с пластини и запечатване на камерата.
• Микрофункции на Edge:Картографиране с голямо увеличение на R-радиусите на ръба и микропрофилите на фаската за оптимизиране на морфологията на изкачване на покритието и избягване на концентрацията на напрежение в острите ъгли, която може да причини разслояване при висока температура.
• Графитен субстрат и анализ на термично съответствие:Оценка на плътността на субстрата от графит с висока чистота, размера на зърната и коефициента на топлинно разширение (CTE), за да се осигури съвпадение на термично напрежение между субстрата и CVD покритието.
• Напречно сечение на покритието и качество на свързване на интерфейса:Неразрушителен XRF и металографски SEM анализ на напречно сечение за измерване на абсолютна дебелина, радиална еднородност на CVD покритието и дълбочина на проникване на повърхността.
• Фазова структура и микрокристален анализ:XRD оценка на чистотата на кубична фаза (β-SiC) на CVD SiC; качествена оценка на химическата стехиометрия и характеристиките на кристалната структура на CVD TaC.

Реален случай и ползи за клиента (опит):

Клиент на 12-инчов компонент за гравиране на полупроводници:OEM доставката е прекратена; имаше налична само една износена използвана част. Чрез CMM обратно моделиране + SEM анализ на напречното сечение на покритието, ние завършихме разработката на резервни части и тестването върху инструмента в рамките на 2 месеца без никакви оригинални чертежи, постигайки 100% монтаж. В крайна сметка цикълът на доставка на компоненти беше намален от първоначалното 6-месечно време за изпълнение на вноса на 2 месеца, разходите за доставка на единица паднаха с 42% и този модел беше стабилно доставен за повече от 30 партиди.

Покритие от силициев карбид (SiC) върху напречно сечение на SEM покритие

ЧЗВ

Започнете ексклузивната си услуга сега