Материали и дизайн

Изборът на подходяща комбинация от субстрат и покритие е ключът към предотвратяване на преждевременната повреда на компонента, намаляване на замърсяването с частици и максимизиране на добива на пластини. Ние предоставяме индивидуални решения за материал и структурен дизайн около специфичния прозорец на процеса на клиента (работна температура, химия на реактивния газ, скорост на нарастване).

Нашите основни дизайнерски възможности:

• Строго CTE стрес съвпадение:За бързи термични цикли (>100 °C/мин), ние прецизно съвпадаме с температурните криви на CTE на графитни субстрати с висока чистота и CVD покрития, като основно намаляваме риска от разслояване на покритието и микропукнатини.
• Избор на покритие, специфично за процесния сценарий:CVD SiC покритие за Si/SiC епитаксия (Epi), MOCVD и среди за плазмено ецване; CVD TaC покритие за по-високи температури и силно корозивни условия (напр. SiC монокристален PVT растеж).
• Контролируемо съпротивление и оптимизация на топлопроводимостта:Прецизен контрол на обемното съпротивление и топлопроводимостта на субстрата и покритието, за да отговори на специфичните изисквания за електричество и термично поле на RF, ESC електростатични патронници или нагревателни зони.
• Контрол на източника на замърсяване и намаляване на CoO:Слоевете за CVD отлагане с висока чистота плътно запечатват порестия графит, като значително намаляват отделянето на частици, дифузията на ултра следи от метални примеси и риска от отделяне на газ при висока температура.

Сравнение на типичния избор на покритие (Ръководство с един поглед)

Реален случай и ползи за клиента (опит):

Водещ производител на SiC епитакси (Epi):Оригиналният компонент използва несъответстващо CVD TaC покритие, което води до прекомерно междинно напрежение и чести микропукнатини при висока температура. Проведохме отново термодинамични симулации и преминахме към aCTE-съвместим специален графитен субстрат с висока чистота + буферен слой + CVD SiC покритиерешение. Резултат: средният живот на компонентите е увеличен от 200 часа на 850 часа; годишната честота на смяна на инструмент спадна от 40 на 9 пъти; спестяванията на разходи за цялостно оборудване O&M надхвърлят 650 000 RMB на година.

Доклад за анализ на чистотата на GDMS за TaC и SiC покрития

ЧЗВ

Започнете ексклузивната си услуга сега