Новини

Само с единичните кристални материали не могат да отговорят на нуждите от нарастващото производство на различни полупроводникови устройства. В края на 1959 г. е разработен тънък слой технология за растеж на единични кристални материали - епитаксиален растеж.

Силиконов карбид е един от идеалните материали за изработка на високотемпературни, високочестотни, високи и високо напрежение. За да се подобри ефективността на производството и да се намалят разходите, приготвянето на големи размери силициев карбид субстрати е важна посока на развитие.

Според чуждестранни новини два източника разкриха на 24 юни, че ByteDance работи с американската компания за дизайн на чипове Broadcom за разработване на усъвършенстван изчислителен процесор с изкуствен интелект (AI), който ще помогне на ByteDance да осигури адекватна доставка на чипове от висок клас на фона на напрежението между Китай и Съединените щати.