Новини

Тази статия представя най-новите разработки в новосъздадения PE1O8 CVD реактор на Hot-Wall на италианската компания LPE и способността му да извършва равномерна епитаксия от 4H-SIC на 200 мм SIC.

С нарастващото търсене на SiC материали в силовата електроника, оптоелектрониката и други области, развитието на SiC монокристална технология за растеж ще се превърне в ключова област на научните и технологични иновации. Като ядрото на оборудването за растеж на монокристали SiC, дизайнът на термично поле ще продължи да получава голямо внимание и задълбочени изследвания.

Чрез непрекъснат технологичен прогрес и задълбочено изследване на механизма, 3C-SIC хетероепитаксиалната технология се очаква да играе по-важна роля в полупроводниковата индустрия и да насърчи развитието на високоефективни електронни устройства.