Продукти
SiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристали
  • SiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристалиSiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристали
  • SiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристалиSiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристали

SiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристали

VeTek Semiconductor доставя първокласен прах от силициев карбид (SiC) с висока чистота, специално пригоден за растеж на кристали от SiC с висок добив (PVT процес), производство на полупроводникови субстрати и усъвършенствана функционална керамика. Обработена чрез ултра-чиста технология за пречистване, нашата суровина SiC с висока чистота осигурява изключително ниски нива на следи от метали, възпроизводима производителност на сублимация и изключително постоянно качество от партида до партида, за да отговори на строгите изисквания за производство на полупроводници.

1. Основни характеристики

· Високи нива на чистота:Възможностите за чистота достигат до 99,9999% (клас 6N).

· Изключително ниско съдържание на метални примеси:Минимизирани следи от метално замърсяване, оптимизирани за растеж на SiC кристали.

· Пълна прозрачност:Налични са пълни данни за тестване на GDMS (масова спектрометрия с тлеещ разряд) за всяка партида.

· Стабилна термична производителност:Силно предвидимо и равномерно поведение на сублимация по време на PVT растеж.

· Контролирано разпределение на размера на частиците:Гранулометрията се наблюдава внимателно, за да се поддържа постоянна плътност на опаковката.

· Персонализирани формули:Персонализирани размери на частиците и криви на разпределение, налични при поискване.

· Стандарт за качество на полупроводниците:Строго произведени съгласно системи за управление на качеството от полупроводников клас.

       


2. Продуктови визуализации


3. Технически спецификации

Собственост
Типична стойност
Материал
Силициев карбид (SiC)
Чистота
99,99% – 99,9999%
Степен на чистота
4N – 6N+
Кристална структура
α-SiC
Размер на частиците
Възможност за персонализиране (напр. микро до груба мрежа)
Анализ на примеси
Предоставен е пълен GDMS отчет

4. Приложения

· PVT SiC кристален растеж:Проводими и полуизолиращи блокове SiC.

· Полупроводникови субстрати:Вафлен субстрат и суровина за епитаксиална обработка.

· Топлинни компоненти от висок клас:Усъвършенствани керамични компоненти и чувствителни покрития.

· Приложения за научноизследователска и развойна дейност:Изследвания на силова електроника от следващо поколение и високочестотни устройства.


5. Защо да изберете VeTek Semiconductor?

· Патентовано пречистване:Усъвършенствани техники за пречистване, осигуряващи до 6N чистота за монокристален растеж.

· Строг контрол на качеството:Специално осигуряване на качеството със строг контрол на замърсяване от клас полупроводници.

· Гъвкавост при персонализиране:Гъвкаво персонализирано оразмеряване на частиците, за да пасне на различни спецификации на тигела на PVT пещта.

· Стабилна верига за доставки:Надежден капацитет за доставка, гарантиращ стабилна дългосрочна доставка на масово производство.

· Техническа експертиза:Пълна техническа поддръжка, съобразена с вашите специфични процеси на растеж на кристали.


Горещи маркери: SiC Crystal Growth, SiC прах с висока чистота, SiC Crystal Growth Powder, PVT SiC Crystal Growth, полупроводников SiC материал, 6N SiC прах с висока чистота, силициев карбид с висока чистота, VeTek Semiconductor
Изпратете запитване
Информация за контакт
  • Адрес

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, Китай

  • електронна поща

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Ние използваме бисквитки, за да ви предложим по-добро сърфиране, да анализираме трафика на сайта и да персонализираме съдържанието. Използвайки този сайт, вие се съгласявате с използването на бисквитки от наша страна. Политика за поверителност
ОтхвърлянеПриеми