Продукти
Продукти
SiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристали
  • SiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристалиSiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристали
  • SiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристалиSiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристали

SiC прах с висока чистота за растеж на SiC кристали

VeTek Semiconductor доставя първокласен прах от силициев карбид (SiC) с висока чистота, специално пригоден за растеж на кристали от SiC с висок добив (PVT процес), производство на полупроводникови субстрати и усъвършенствана функционална керамика. Обработена чрез ултра-чиста технология за пречистване, нашата суровина SiC с висока чистота осигурява изключително ниски нива на следи от метали, възпроизводима производителност на сублимация и изключително постоянно качество от партида до партида, за да отговори на строгите изисквания за производство на полупроводници.
Рейтинг: 5.0
(Брой рейтинги: 1)

1. Основни характеристики

· Високи нива на чистота:Възможностите за чистота достигат до 99,9999% (клас 6N).

· Изключително ниско съдържание на метални примеси:Минимизирани следи от метално замърсяване, оптимизирани за растеж на SiC кристали.

· Пълна прозрачност:Налични са пълни данни за тестване на GDMS (масова спектрометрия с тлеещ разряд) за всяка партида.

· Стабилна термична производителност:Силно предвидимо и равномерно поведение на сублимация по време на PVT растеж.

· Контролирано разпределение на размера на частиците:Гранулометрията се наблюдава внимателно, за да се поддържа постоянна плътност на опаковката.

· Персонализирани формули:Персонализирани размери на частиците и криви на разпределение, налични при поискване.

· Стандарт за качество на полупроводниците:Строго произведени съгласно системи за управление на качеството от полупроводников клас.

       


2. Продуктови визуализации


3. Технически спецификации

Собственост
Типична стойност
Материал
Силициев карбид (SiC)
Чистота
99,99% – 99,9999%
Степен на чистота
4N – 6N+
Кристална структура
α-SiC
Размер на частиците
Възможност за персонализиране (напр. микро до груба мрежа)
Анализ на примеси
Предоставен е пълен GDMS отчет

4. Приложения

· PVT SiC кристален растеж:Проводими и полуизолиращи блокове SiC.

· Полупроводникови субстрати:Вафлен субстрат и суровина за епитаксиална обработка.

· Топлинни компоненти от висок клас:Усъвършенствани керамични компоненти и чувствителни покрития.

· Приложения за научноизследователска и развойна дейност:Изследвания на силова електроника от следващо поколение и високочестотни устройства.


5. Защо да изберете VeTek Semiconductor?

· Патентовано пречистване:Усъвършенствани техники за пречистване, осигуряващи до 6N чистота за монокристален растеж.

· Строг контрол на качеството:Специално осигуряване на качеството със строг контрол на замърсяване от клас полупроводници.

· Гъвкавост при персонализиране:Гъвкаво персонализирано оразмеряване на частиците, за да пасне на различни спецификации на тигела на PVT пещта.

· Стабилна верига за доставки:Надежден капацитет за доставка, гарантиращ стабилна дългосрочна доставка на масово производство.

· Техническа експертиза:Пълна техническа поддръжка, съобразена с вашите специфични процеси на растеж на кристали.


Изпратете запитване
Информация за контакт
  • Адрес

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, Китай

  • електронна поща

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Рейтинг:
5.0
X
Ние използваме бисквитки, за да ви предложим по-добро сърфиране, да анализираме трафика на сайта и да персонализираме съдържанието. Използвайки този сайт, вие се съгласявате с използването на бисквитки от наша страна. Политика за поверителност
ОтхвърлянеПриеми