Новини

В епохата на бързо технологично развитие, 3D принтирането, като важен представител на напредналите производствени технологии, постепенно променя лицето на традиционното производство. С непрекъснатото развитие на технологиите и намаляването на разходите, технологията за 3D печат показа широки перспективи за приложение в много области като космическата промишленост, производството на автомобили, медицинското оборудване и архитектурния дизайн и насърчи иновациите и развитието на тези индустрии.

Само с единичните кристални материали не могат да отговорят на нуждите от нарастващото производство на различни полупроводникови устройства. В края на 1959 г. е разработен тънък слой технология за растеж на единични кристални материали - епитаксиален растеж.

Силиконов карбид е един от идеалните материали за изработка на високотемпературни, високочестотни, високи и високо напрежение. За да се подобри ефективността на производството и да се намалят разходите, приготвянето на големи размери силициев карбид субстрати е важна посока на развитие.

Според чуждестранни новини два източника разкриха на 24 юни, че ByteDance работи с американската компания за дизайн на чипове Broadcom за разработване на усъвършенстван изчислителен процесор с изкуствен интелект (AI), който ще помогне на ByteDance да осигури адекватна доставка на чипове от висок клас на фона на напрежението между Китай и Съединените щати.

Като водещ производител в SIC индустрията, свързаната с тях динамика на Sanan Optoelectronics получи широко внимание в индустрията. Наскоро Sanan Optoelectronics разкри поредица от най-новите разработки, включващи 8-инчови трансформация, нова фабрика за субстрат, създаване на нови компании, държавни субсидии и други аспекти.

В растежа на SIC и ALN единични кристали, използвайки метода на физическия транспорт на изпаряване (PVT), ключовите компоненти като Crucible, притежателя на семена и водещия пръстен играят жизненоважна роля. Както е показано на фигура 2 [1], по време на PVT процеса, семенният кристал е разположен в областта на по -ниската температура, докато SIC суровината е изложена на по -високи температури (над 2400 ℃).