Поддържащ пръстен с SiC покритие

Полупроводник, водещ производител и доставчик, базиран в Китай, е специализиран в производството на редица продукти, включителноПръстени за поддръжка на SIC покритие, CVD покрития от силициев карбид, покрития от танталов карбид, насипен SiC, SiC прахове и SiC материали с висока чистота. Нашата отдаденост се състои в предлагането на цялостна техническа помощ и оптимални продуктови решения, пригодени за сектора на полупроводниците. Чувствайте се свободни да се свържете с нас за допълнителна информация и помощ.

Полупроводник'SПръстени за поддръжка на SIC покритиеса ново поколение високотемпературни устойчиви материали. Тъй като устойчиви на корозия покрития, устойчиви на окисляване покрития и устойчиви на износване покрития, те могат да се използват в среда над 1650 ℃ и се използват широко в полупроводникови полета.

Висококачествените характеристики наПръстени за поддръжка на SIC покритиеИграйте много важна роля в епитаксиалния растеж на полупроводниковите компоненти от трето поколение.

Поддържане на равномерността на температурата: Поддържащите пръстени с покритие SIC имат отлична топлопроводимост и могат да осигурят равномерно разпределение на температурата по време на епитаксиален растеж. Това помага да се намалят термичните градиенти и напреженията върху повърхността на вафлите, като по този начин се подобрява качеството на епитаксиалния слой.

Изключителна химическа стабилност: По време на процеса на епитаксиален растеж,Пръстени за поддръжка на SIC покритиеса в състояние да устоят на химическа атака от реакционните газове, като удължават живота на опорните пръстени и поддържат целостта на процеса. Тази химическа стабилност помага за намаляване на риска от замърсяване и подобряване на чистотата и производителността на полупроводниковите устройства.

Прецизно позициониране: Поддържащите пръстени с покритие SIC са в състояние да поддържат прецизното позициониране на вафлата, което е от решаващо значение за постигането на равномерно отлагане на слоя. Това прецизно позициониране помага да се гарантира консистенцията на дебелината и качеството на епитаксиалния слой.

Основни физични свойства на CVD SiC покритие:

Дилър Полупроводник:

Преглед на индустриалната верига за епитаксия на полупроводниковите чипове: