Уеб меню

Търсене на продукти

език

Продукти

SIC Единичен процес на растеж на кристали резервни части

Продуктът на Veteksemicon, TheТанталум карбид (TAC) покритиеПродукти за процеса на растеж на единичен кристал SIC се занимават с предизвикателствата, свързани с растежния интерфейс на кристалите на силициевия карбид (SIC), по -специално всеобхватните дефекти, които се появяват в ръба на кристала. Прилагайки TAC покритие, ние се стремим да подобрим качеството на растежа на кристалите и да увеличим ефективната площ на центъра на кристала, което е от решаващо значение за постигане на бърз и дебел растеж.


TAC покритието е основно технологично решение за отглеждане на висококачественоSic Процес на растеж на единичен кристал. Успешно разработихме технология за покритие на TAC, използвайки химическо отлагане на пари (CVD), която достигна международно напреднало ниво. TAC има изключителни свойства, включително висока точка на топене до 3880 ° C, отлична механична якост, твърдост и устойчивост на термичен удар. Той също така проявява добра химическа инертност и термична стабилност, когато е изложена на високи температури и вещества като амоняк, водород и силиций, съдържащ сили.


Vekekemicon'sТанталум карбид (TAC) покритиепредлага решение за справяне с проблемите, свързани с ръба в процеса на растеж на единични кристали на SIC, подобрявайки качеството и ефективността на процеса на растеж. С нашата модерна технология за покритие на TAC се стремим да подкрепим развитието на полупроводниковата индустрия от трето поколение и да намалим зависимостта от вносни ключови материали.


PVT метод SIC Единичен кристален процес на растеж Резервни части:

PVT method SiC Single crystal growth process



Tac покритие с тигел, държач за семена с TAC покритие, TAC покритие на пръстена за покритие са важни части в SIC и AIN единична кристална пещ чрез PVT метод.

Основна характеристика:

● Висока температурна съпротивление

●  Високата чистота няма да замърси SIC суровините и SIC единични кристали.

●  Устойчив на Al пара и N₂CORROSION

●  Висока евтектична температура (с ALN) за съкращаване на цикъла на подготовка на кристала.

●  Рециклируем (до 200h), той подобрява устойчивостта и ефективността на получаването на такива единични кристали.


Характеристики на покритието на TAC

Tantalum Carbide Coating Characteristics


Типични физически свойства на так покритие

Физични свойства на TAC покритие
Плътност 14.3 (g/cm³)
Специфична емисионна способност 0.3
Коефициент на термично разширение 6.3 10-6/K
Твърда (HK) 2000 HK
Съпротива 1 × 10-5Ом*cm
Термична стабилност <2500 ℃
Размерът на графита се променя -10 ~ -20um
Дебелина на покритието ≥20um Типична стойност (35um ± 10um)


View as  
 
Пръстен с покритие с карбид от танталум

Пръстен с покритие с карбид от танталум

Като професионален новатор и лидер на пръстеновидните продукти с карбид Tantalum в Китай, пръстенът с покритие от полупроводник на Vetek Tantalum играе незаменима роля в растежа на кристалите на SIC с отличната си висока температурна устойчивост, устойчивост на износване и отлична термична проводимост. Добре дошли вашата допълнителна консултация.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
CVD TAC покритие

CVD TAC покритие

В полупроводниковата индустрия CVD TAC покривният пръстен е изключително изгоден компонент, предназначен да отговаря на взискателните изисквания на процесите на растеж на кристала на силициевия карбид (SIC). CVD CVD CVD TAC покритие на CVD TAC осигурява изключителна устойчивост на висока температура и химическа инертност, което го прави идеален избор за среда, характеризираща се с повишени температури и корозивни състояния. Моля, не се колебайте да се свържете с нас за повече въпроси.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
Пореста графит с так покритие

Пореста графит с так покритие

Порестият графит с TAC покритие е усъвършенстван материал за обработка на полупроводници, осигурен от полупроводник Vetek. Порестият графит с TAC покритие комбинира предимствата на пореста графит и танталум карбид (TAC), с добра топлопроводимост и проницаемост на газа. Vetek Semiconductor се ангажира да предоставя качествени продукти на конкурентни цени.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
Tantalum карбидно покритие с покритие за растеж на кристала

Tantalum карбидно покритие с покритие за растеж на кристала

Тръбата с покритие от карбид Tantalum за растеж на кристалите се използва главно в процеса на растеж на кристалите на SIC. Полупроводниковият Vetek доставя тръба с карбидно покритие Tantalum за растеж на кристалите в продължение на много години и работи в областта на TAC покритие от много години. Нашите продукти имат висока чистота и висока температура. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай. Чувствайте се свободни да ни попитате.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
TAC покритие с водач

TAC покритие с водач

Водещият пръстен с покритие от так е изработен от висококачествен графит и TAC покритие. При приготвянето на SIC кристали чрез PVT метод, насочният пръстен на Vetek Semiconductor, покрит с TAC, се използва главно за насочване и контрол на въздушния поток, оптимизиране на процеса на растеж на единични кристали и подобряване на единичния добив на кристали. С отлична технология за покритие на TAC, нашите продукти имат отлична висока температурна устойчивост, устойчивост на корозия и добри механични свойства.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
Графитен носител за пластини с TaC покритие

Графитен носител за пластини с TaC покритие

Vetek Semiconductor е проектирал внимателно превозвач на графитни вафли TAC за клиенти. Съставен е от графит с висока чистота и TAC покритие, което е подходящо за различни епитаксиални вафли за вафли. Ние сме специализирани в SIC и TAC покритие от много години. В сравнение с SIC покритието, нашият носител на графитни вафли с покритие с TAC има по-висока температурна устойчивост и устойчив на износване. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
Като професионалист SIC Единичен процес на растеж на кристали резервни части производител и доставчик в Китай, ние имаме собствена фабрика. Независимо дали се нуждаете от персонализирани услуги, за да отговорите на специфичните нужди на вашия регион или искате да закупите модерни и издръжливи SIC Единичен процес на растеж на кристали резервни части, направени в Китай, можете да ни оставите съобщение.
Препоръки за новини
Какво е стъклен въглерод？ - Veteksemicon
Какво е стъклен въглерод？ - VeteksemiconВиж повече >>
Принципи и технология на физическото покритие за отлагане на пари (1/2) - полупроводник Vetek
Принципи и технология на физическото покритие за отлагане на пари (1/2) - полупроводник VetekВиж повече >>
Порест танталов карбид: ново поколение материали за растеж на кристали SiC
Порест танталов карбид: ново поколение материали за растеж на кристали SiCВиж повече >>
Какво е PECVD графитна лодка?
Какво е PECVD графитна лодка?Виж повече >>
Използване на твърд силициев карбид
Използване на твърд силициев карбидВиж повече >>
Защо SIC Coating получава толкова много внимание? - Полупроводник Vetek
Защо SIC Coating получава толкова много внимание? - Полупроводник VetekВиж повече >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept