Епитаксия от силициев карбид

Приготвянето на висококачествена епитаксия от силициев карбид зависи от модерна технология и оборудване и аксесоари за оборудване. Понастоящем най-широко използваният метод за растеж на епитаксия със силициев карбид е химическо отлагане на пари (CVD). Той има предимствата на прецизен контрол на дебелината на епитаксиалния филм и концентрацията на допинг, по-малко дефекти, умерена скорост на растеж, автоматичен контрол на процеса и т.н. и е надеждна технология, която е успешно приложена в търговската мрежа.

CVD епитаксията със силициев карбид обикновено използва CVD оборудване с гореща стена или топла стена, което гарантира продължаването на епитаксиалния слой 4H кристален SiC при условия на висока температура на растеж (1500 ~ 1700 ℃), CVD с гореща стена или топла стена след години на разработка, според връзка между посоката на входящия въздушен поток и повърхността на субстрата, реакционната камера може да бъде разделена на реактор с хоризонтална структура и реактор с вертикална структура.

Има три основни показателя за качеството на SIC епитаксиалната пещ, първият е ефективността на епитаксиалния растеж, включително равномерност на дебелината, равномерност на допинга, процент на дефекти и скорост на растеж; Второто е температурната производителност на самото оборудване, включително скорост на нагряване/охлаждане, максимална температура, равномерност на температурата; И накрая, разходите за самото оборудване, включително цената и капацитета на единична единица.

Разлики в три вида пещ за епитаксиален растеж от силициев карбид и аксесоари за сърцевина

Хоризонтален CVD с гореща стена (типичен модел PE1O6 на компанията LPE), планетарен CVD с топла стена (типичен модел Aixtron G5WWC/G10) и CVD с квази-гореща стена (представен от EPIREVOS6 на компанията Nuflare) са основните технически решения за епитаксиално оборудване, които са реализирани в търговски приложения на този етап. Трите технически устройства също имат свои собствени характеристики и могат да бъдат избрани според търсенето. Тяхната структура е показана, както следва:

Съответните основни компоненти са както следва:

(a) Основна част от хоризонтален тип с гореща стена - Halfmoon Parts се състои от

Изолация надолу по веригата

Основна изолация отгоре

Горен полумесец

Изолация нагоре по веригата

Преходно парче 2

Преходна част 1

Дюза за външен въздух

Заострен шнорхел

Външна дюза за газ аргон

Газова дюза аргон

Поддържаща плоча за вафли

Центриращ щифт

Централен страж

Долен ляв защитен капак

Долен десен защитен капак

Ляв защитен капак нагоре по веригата

Защитен капак нагоре по веригата

Странична стена

Графитен пръстен

Защитен филц

Поддържащ филц

Контактен блок

Газов изходен цилиндър

(b) Топла стена планетарен тип

Планетен диск с SiC покритие и планетарен диск с TaC покритие

(c) Квазитермичен стенен тип

Nuflare (Япония): Тази компания предлага двукамерни вертикални пещи, които допринасят за увеличаване на производствения добив. Оборудването разполага с високоскоростно въртене до 1000 оборота в минута, което е много полезно за епитаксиалната еднородност. Освен това посоката на въздушния му поток се различава от тази на друго оборудване, като е вертикално надолу, като по този начин минимизира генерирането на частици и намалява вероятността капчици частици да паднат върху пластините. Ние предоставяме основни графитни компоненти с SiC покритие за това оборудване.

Като доставчик на компоненти за епитаксиално оборудване от SiC, VeTek Semiconductor се ангажира да предоставя на клиентите висококачествени компоненти за покритие в подкрепа на успешното прилагане на епитаксия от SiC.