GaN епитаксиален графитен рецептор за G5

VeTek Semiconductor е професионален китайски производител и доставчик на GaN епитаксиален графитен приемник за G5. GaN епитаксиален графитен приемник за G5 е критичен компонент, използван в системата за металоорганично химическо отлагане на пари (MOCVD) Aixtron G5 за растеж на висококачествени тънки филми от галиев нитрид (GaN), той играе решаваща роля за осигуряване на равномерна температура разпределение, ефективен пренос на топлина и минимално замърсяване по време на процеса на растеж.

Основни характеристики на Vetek полупроводник GAN EPITAXIAL GRAPHITE SOSPECTOR за G5:

-Висока чистота: Токоприемникът е направен от изключително чист графит с CVD покритие, минимизиращо замърсяването на растящите GaN филми.

-Куклезна термична проводимост: Високата топлопроводимост на Graphite (150-300 W/(M · K)) гарантира равномерно разпределение на температурата в целия складиращ, което води до постоянен растеж на GAN филма.

-Ниско топлинно разширение: Ниският коефициент на топлинно разширение на фиксатора минимизира топлинния стрес и напукване по време на процеса на растеж при висока температура.

-Химическа инертност: Графитът е химически инертен и не реагира с прекурсорите на GaN, предотвратявайки нежеланите примеси в отглежданите филми.

-Компатируемост с Aixtron G5: Сондаторът е специално проектиран за използване в Aixtron G5 MOCVD системата, гарантирайки правилното приспособяване и функционалност.

Приложения:

Светодиоди с висока яркост: базираните на GaN светодиоди предлагат висока ефективност и дълъг живот, което ги прави идеални за общо осветление, автомобилно осветление и приложения за дисплеи.

Транзистори с висока мощност: Транзисторите на GAN предлагат превъзходни характеристики по отношение на плътността на мощността, ефективността и скоростта на превключване, което ги прави подходящи за приложения за електроника на мощността.

Лазерни диоди: Лазерните диоди на базата на GAN предлагат висока ефективност и къси дължини на вълната, което ги прави идеални за оптични приложения за съхранение и комуникация.

Продуктов параметър на GaN епитаксиален графитен приемник за G5

Забележка: Преди нанасяне на покритие ще направим първо пречистване, след нанасяне на покритие ще направим второ пречистване.

Сравнете полупроводниковия магазин за производство: