Aixtron G5 MOCVD SOSPECTORS

Като професионален производител, полупроводник Vetek би искал да ви предостави Sustleptors Aixtron G5 като Aixtron Epitaxy,  Sic покритиеГрафитни части и TAC покритиеГрафитни части. Добре дошли да ни запитат.

Aixtron G5 е система за отлагане на съединения полупроводници. AIX G5 MOCVD използва производствен клиент доказан платформа за планетарен реактор Aixtron с напълно автоматизирана система за прехвърляне на вафли за касети (C2C). Постигна най -големия единствен размер на кухината в индустрията (8 х 6 инча) и най -големият производствен капацитет. Той предлага гъвкави 6 - и 4 -инчови конфигурации, предназначени да сведат до минимум производствените разходи, като същевременно поддържат отлично качество на продукта. Планетарната CVD система на топла стена се характеризира с растежа на множество плочи в една пещ, а изходната ефективност е висока. 

Vetek Semiconductor предлага пълен набор от аксесоари за системата Aixtron G5 MOCVD SOSPECTOR, който се състои от тези аксесоари:

1. Планетарен реактор модул

Функционална ориентация: Като основен реакторна модул от серия AIX G5, той приема планетарна технология за постигане на високо равномерно отлагане на материали при вафли.

Технически характеристики:

Аксисиметрична равномерност: Уникалният планетарен ротационен дизайн осигурява ултра еднообразно разпределение на повърхностите на вафли по отношение на дебелината, състава на материала и концентрацията на допинг.

Съвместимост с много вафли: поддържа партидната обработка на 5 200 мм (8-инчови) вафли или 8 150 мм вафли, като значително повишава производителността.

Оптимизация на контрола на температурата: С персонализираните джобове на субстрата температурата на вафлите е прецизно контролирана, за да се намали огъването на вафлата поради топлинни градиенти.

2. Таван (Система за таван за контрол на температурата)

Функционална ориентация: Като компонент на горната температура на реакционната камера, за да се гарантира стабилността и енергийната ефективност на средата за отлагане на висока температура.

Технически характеристики:

Дизайн с нисък топлинен поток: Технологията "топъл таван" намалява топлинния поток във вертикалната посока на вафлата, намалява риска от деформация на вафли и поддържа процеса на по-тънък силиций на основата на галий нитрид (Gan-on-Si).

Поддръжка на почистване in situ: Интегрираната функция за почистване на CL₂ in situ намалява времето за поддръжка на реакционната камера и подобрява непрекъснатата ефективност на работа на оборудването.

3. Графитни компоненти

Позициониране на функцията: Като компонент за уплътняване и лагер с висока температура, за да се гарантира напрежението на въздуха и устойчивостта на корозия на реакционната камера.

Технически характеристики:

Високотемпературна устойчивост: Използването на гъвкав графитен материал с висока чистота, поддръжка -200 ℃ до 850 ℃ Екстремна температурна среда, подходяща за амоняк на MOCVD процеса (NH₃), източници на органични метали и други корозивни среди.

Самоубиване и устойчивост: Графитният пръстен има отлични характеристики на самообледняване, които могат да намалят механичното износване, докато коефициентът на висока устойчивост се адаптира към промяната на термичното разширяване, гарантирайки надеждността на дългосрочната уплътнение.

Персонализиран дизайн: Поддръжка 45 ° Коси разрез, V-образна или затворена структура, за да се отговори на различни изисквания за уплътняване на кухината.

Четвърто, поддържащи системи и възможности за разширяване

Автоматизирана обработка на вафли: Интегрирана манипулатор на вафли с касета за касета за напълно автоматизирано зареждане/разтоварване на вафли с намалена ръчна интервенция.

Съвместимост на процесите: Подкрепете епитаксиалния растеж на галий нитрид (GAN), фосфорна арсенид (ASP), микро LED и други материали, подходящи за радиочестота (RF), захранващи устройства, технология на дисплея и други области на търсене.

Гъвкавост на надстройка: Съществуващите G5 системи могат да бъдат надградени до версията G5+ с хардуерни модификации, за да се настанят по -големи вафли и разширени процеси.

CVD SIC филм Кристална структура:

Основни физически свойства на CVD SIC покритие: