Силициев карбид (SiC) с висока чистота на прах

Ключови характеристики
• Чистотата може да достигне до 99,9999% — това е 6N

• Металните примеси се поддържат ниски

• Тестовите данни на GDMS са достъпни при поискване

• Сублимационното поведение остава постоянно от партида на партида

• По-малък риск от замърсяване по време на обработка

• Разпределението на размера на частиците се контролира

• Можете също така да поискате персонализирани размери на частиците

• Контролът на качеството следва стандартите за полупроводници

Диапазон на размера на частиците:

Чистота на прах: 

Технически спецификации:

Приложения

• SiC монокристален растеж (PVT)

• Проводими и полуизолиращи SiC субстрати

• Полупроводникови материали

• Усъвършенствана керамика

• Изследвания и развитие

Защо да изберете VeTek Semiconductor?

• Усъвършенствана технология за пречистване

• Контрол на качеството на полупроводници

• Персонализирани опции за размер на частиците

• Стабилно и надеждно захранване

• Техническа поддръжка за приложения за растеж на кристали