Водещ пръстен от порест графит

Основни предимства на продукта

1. Гаранция за свръхвисока чистота и ниски дефекти

Приема процес на високотемпературно пречистване с вакуум от 3000 ℃ за дълбоко отстраняване на неметални примеси като кислород и азот, повишавайки чистотата на продукта до ≥99,9995%. Той елиминира предизвиканите от примеси кристални дефекти (напр. микротубули, дислокации) от източника, като гарантира последователността и стабилността на електрическите свойства на монокристалите SiC и полага солидна основа за висококачествен кристален растеж.

2. Ултра-висока температурна стабилност и прецизно регулиране на термичното поле

Може да издържа на екстремно високи температури от 2200 ℃ в аргонова или вакуумна среда, като работи непрекъснато и стабилно над 1000 часа без омекване или деформация. Продуктът има нисък коефициент на топлинно разширение, което може ефективно да избегне напукване на материала, причинено от топлинно напрежение. Той поддържа дизайн на градиентно разпределение на порьозността (15-30%) и оптимизира размера на порите (10-200μm) в комбинация с CFD (Computational Fluid Dynamics) технология за симулация, контролирайки флуктуацията на температурния градиент в рамките на ±3℃ и значително подобрявайки еднородността на термичното поле и консистенцията на растежа на кристалите.

3. Персонализирана адаптация и пълно удовлетворение от сценария

• Адаптиране на геометрична форма: Може точно да обработва сложни форми като пръстеновидни бъчви и многослойни щитови структури според структурите на пещта на клиента, за да постигне перфектно съвпадение и монтаж.
• Персонализиране на повърхностния процес: Осигурява персонализирани услуги за обработка на повърхността, като ултра прецизно полиране и специални покрития, което значително повишава устойчивостта на корозия и експлоатационния живот на продукта.

4. Проверено представяне и подобрена ефективност

• Когато се използва като основен компонент на термично поле в процеса на кристализация на PVT SiC, той е проверен в практически сценарии:
• Скоростта на растеж на кристалите се увеличава с 15% -20% в сравнение с традиционните графитни продукти, което значително съкращава производствения цикъл.
• Добивът на 4-инчови SiC монокристални пластини надхвърля 90%, което ефективно намалява производствените разходи.
• Цикълът на поддръжка на оборудването е удължен от конвенционалните 3 месеца на 6 месеца, намалявайки честотата на поддръжка при спиране и подобрявайки ефективността на производството.
  
  

Сценарии за приложение

• PVT Growth Furnace Assembly: Служи като основен компонент за сублимация на SiC материал и растеж на кристали, осигурявайки стабилно и равномерно разпределение на термичното поле, за да се осигури гладкото протичане на процеса на кристализация.
• Компонент за екраниране на термичното поле: Уникалната пореста структура може ефективно да буферира топлинния стрес, да намали износването на оборудването и да удължи цялостния експлоатационен живот на оборудването.
• Аксесоар за опора на зародишните кристали: Притежава висока механична якост за стабилно поддържане на зародишните кристали, осигурявайки прецизността на насочен растеж на кристалите.
• Газодифузионен слой: Оптимизира ефективността на преноса на газовата фаза, насърчава равномерното сублимиране и отлагане на суровини и допълнително подобрява качеството на единичния кристал и скоростта на растеж.

Технически параметри

Основни конкурентни акценти

• Изключително високотемпературна производителност: Поддържа структурна стабилност при 2200 ℃ без омекване или деформация, поддържайки непрекъсната работа за над 1000 часа, за да отговори на екстремните изисквания на процеса.
• Персонализирано решение за термично поле: Разчита на CFD симулационна технология за оптимизиране на дизайна на градиента на порите, точно съвпадение на нуждите на процеса на клиентите и подобряване на еднородността на кристалите и добива на продукта.
• Услуга за бързо реагиране: Предоставя тестови услуги за съпоставяне на параметрите на процеса и доставя прототипни решения в рамките на 72 часа, като помага на клиентите да ускорят научноизследователските и развойни процеси и производствените процеси.