Твърди филц с висока чистота

SIC епитаксиалният растеж е технология за отглеждане на висококачествени тънки филми от силициев карбид на повърхността на субстрат. Този процес е от съществено значение за производството на високоефективни устройства за полупроводници от силициев карбид, като устройства за захранване на силициев карбид и RF устройства със силициев карбид. В този процес средата на растеж, включително температурата, потока на газа, налягането и други параметри, трябва да бъде строго контролирана, за да се гарантира растежа на висококачествените епитаксиални слоеве на силиконов карбид с висока чистота с добри електрически свойства. SIC Coatig Половин графитни части е основният компонент на епитаксиалния растеж на SIC, а твърдото усещане с висока чистота играе главно ролята на запазването на топлината на графитни части на полумесец SIC Coatig.

Твърдото усещане с висока чистота има добра топлопроводимост, която може да разпредели равномерно топлината на източника на отопление около графитните части на SIC Coatig и има добър ефект на запазване на топлина. По време на епитаксиалния растеж на SIC, той може да абсорбира топлината и да я освободи бавно, за да се избегне локално прегряване или преохлаждане, така че разликата в температурата на повърхността на субстрата на силициевия карбид да се контролира в много малък диапазон, а температурната равномерност обикновено може да достигне ± 1 - 2 ℃, което е много важно за отглеждането на епитаксиален слой на силициев карбид с еднаква дебелина и последователни електрически свойства.

Някои корозивни газове, като силан (SiH4) и пропан (C3H8), се използват като реакционни газове при епитаксиален растеж на SiC. Твърдият филц с висока чистота има добра толерантност към тези химически газове и може да поддържа своята структурна цялост през целия епитаксиален цикъл на растеж (който може да продължи с часове или дори десетки часове). А чистотата на твърдия филц с висока чистота е над 99,99% и той няма да отдели вещества, които могат да замърсят епитаксиалния слой в реакционната среда, като по този начин се гарантира високата чистота на епитаксиалния слой от силициев карбид.

Подходящата плътност може да гарантира механичната якост и топлинната проводимост на твърдото усещане с висока чистота. Докато гарантира топлопроводимост, това може да сведе до минимум намесата на външните фактори върху епитаксиалния растеж на SIC.

В сравнение с традиционните керамични материали и метални материали, графитът с висока чистота графит се филц има по -добра топлопроводимост и химическа стабилност и е отличен спомагателен компонент материал за растеж на SIC епитаксиален растеж.

Като водещ китайски доставчик и фабрика за твърд филц с висока чистота, VeTek Semiconductor предоставя изключително персонализирани продукти, независимо дали става въпрос за материали или размер на продукта, той може да бъде персонализиран за вас. Освен това VeTek Semiconductor отдавна се е ангажирал да предоставя усъвършенствана технология за твърд филц с висока чистота и продуктови решения за полупроводниковата индустрия. Искрено се надяваме да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

VeTek Semiconductor Цехове за производство на твърд филц с висока чистота: