Хоризонтален носител на вафли SIC

VeTek Semiconductor'sХоризонтален носител за пластини от SiC/Лодка има изключително висока точка на топене (около 2700 ° C), което позволяваХоризонтален носител за пластини от SiC/Лодка за стабилна работа в среда с висока температура без деформация или разграждане. Тази характеристика е особено важна в процеса на производство на полупроводници, особено в процеси като високотемпературно отгряване или химическо отлагане на пари (CVD).

TheХоризонтален носител за пластини от SiC/Лодката специално играе следните роли в процеса на носене на превозвачи на вафли:

Носене и поддръжка на силиконова пластина: Хоризонталната лодка на SIC вафли се използва главно за пренасяне и поддържане на силиконови вафли по време на производството на полупроводници. Той може здраво да подреди множество силициеви вафли, за да гарантира, че те остават в добро положение и стабилност през целия процес на обработка.

Равномерно отопление и охлаждане: Поради високата топлопроводимост на SIC, лодката на вафли може ефективно да разпределя топлината равномерно на всички силиконови вафли. Това помага да се постигне равномерно отопление или охлаждане на силициеви вафли по време на обработка с висока температура, като се гарантира консистенция и надеждност на процеса на обработка.

Предотвратяване на замърсяване: Химическата стабилност на SiC му позволява да работи добре в среди с висока температура и корозивни газове, като по този начин намалява излагането на силициевите пластини на възможни замърсители или реагенти, гарантирайки чистотата и качеството на силициевите пластини.

Всъщност лодката на хоризонталната SIC вафла може да играе горната роля поради уникалните си характеристики на продукта:

Отлична химическа стабилност: SiC материалът има отлична устойчивост на корозия към различни химически среди. В процеса на обработка на корозивни газове или течности, SiC Wafer Boat може ефективно да устои на химическа корозия и да предпази силициевите пластини от замърсяване или повреда.

Висока топлопроводимост: Високата топлопроводимост на SiC спомага за равномерното разпределение на топлината в процеса на носител и намалява натрупването на топлина. Това може да подобри точността на контрола на температурата по време на прецизна обработка и да осигури равномерно нагряване или охлаждане на силициевите пластини.

Нисък коефициент на топлинно разширение: Ниският коефициент на топлинно разширение на SiC материала означава, че промяната на размерите на SiC Wafer Boat е много малка по време на температурни промени. Това помага да се поддържа стабилността на размерите по време на високотемпературна обработка и предотвратява деформация или позиционно изместване на силициеви пластини, причинено от термично разширение.

Основни физични свойства на хоризонталния носител на пластини от SiC:

Сравнете полупроводниковия производствен магазин:

Преглед на индустриалната верига на епитаксията на полупроводниковите чипове: