MOCVD технология

VeTek Semiconductor има предимство и опит в резервните части за MOCVD технология.

MOCVD, пълното име на Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metal-organic Chemical Vapor Deposition), може също да се нарече метало-органична парофазова епитаксия. Органометалните съединения са клас съединения с връзки метал-въглерод. Тези съединения съдържат поне една химична връзка между метал и въглероден атом. Металоорганичните съединения често се използват като прекурсори и могат да образуват тънки филми или наноструктури върху субстрата чрез различни техники на отлагане.

Металоорганично химическо отлагане на пари (MOCVD технология) е често срещана технология за епитаксиален растеж, MOCVD технологията се използва широко в производството на полупроводникови лазери и светодиоди. Особено при производството на светодиоди, MOCVD е ключова технология за производството на галиев нитрид (GaN) и свързаните с него материали.

Има две основни форми на епитаксия: епитаксия в течна фаза (LPE) и епитаксия в газова фаза (VPE). Епитаксията в газова фаза може допълнително да бъде разделена на метало-органично химическо отлагане на пари (MOCVD) и молекулярно-лъчева епитаксия (MBE).

Чуждестранните производители на оборудване са представени главно от Aixtron и Veeco. MOCVD системата е едно от ключовите съоръжения за производство на лазери, светодиоди, фотоелектрически компоненти, мощност, RF устройства и слънчеви клетки.

Основни характеристики на MOCVD технологията резервни части, произведени от нашата компания:

1) Висока плътност и пълно капсулиране: графитната основа като цяло е във висока температура и корозивна работна среда, повърхността трябва да бъде напълно обвита и покритието трябва да има добро уплътняване, за да играе добра защитна роля.

2) Добра плоскост на повърхността: Тъй като графитната основа, използвана за растеж на монокристал, изисква много висока плоскост на повърхността, оригиналната плоскост на основата трябва да се поддържа след приготвяне на покритието, тоест покриващият слой трябва да бъде равномерен.

3) Добра якост на свързване: Намалете разликата в коефициента на топлинно разширение между графитната основа и покриващия материал, което може ефективно да подобри якостта на свързване между двете, а покритието не е лесно за напукване след излагане на висока и ниска температура цикъл.

4) Висока топлопроводимост: висококачественият растеж на чипа изисква графитната основа да осигурява бърза и равномерна топлина, така че покриващият материал трябва да има висока топлопроводимост.

5) Висока точка на топене, устойчивост на окисление при висока температура, устойчивост на корозия: покритието трябва да може да работи стабилно при висока температура и корозивна работна среда.

Поставете 4-инчов субстрат
Синьо-зелена епитаксия за отглеждане на LED
Разположен в реакционната камера
Директен контакт с вафлата Поставете 4-инчов субстрат
Използва се за отглеждане на UV LED епитаксиален филм
Разположен в реакционната камера
Директен контакт с вафлата Машина Veeco K868/Veeco K700
Бяла LED епитаксия/Синьо-зелена LED епитаксия Използва се в оборудването на VEECO
За MOCVD епитаксия
SiC Coating Suceptor Оборудване Aixtron TS
Дълбока ултравиолетова епитаксия
2-инчов субстрат Veeco оборудване
Червено-жълта LED епитаксия
4-инчов вафлен субстрат Сусцептор с TaC покритие
(SiC Epi/ UV LED приемник) Токоприемник с SiC покритие
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)