Пореста SIC керамична плоча

Пореста SIC керамична плоча е пореста структура керамичен материал, изработен отсилициев карбидкато основен компонент и комбиниран със специален процес на синтероване. Порьозността му е регулируема (обикновено 30%-70%), разпределението на размера на порите е равномерно, има отлична висока температурна устойчивост, химическа стабилност и отлична пропускливост на газа и се използва широко при производството на полупроводници, отлагане на химически пари (CVD), високотемпературна газова филтрация и други полета.

И за повече информация за порестата керамична плоча SIC, моля, разгледайте този блог.

Пореста sic керамичен дискОтлични физически свойства

● Изключително висока температурна устойчивост:

Точката на топене на SIC керамиката е до 2700 ° C и все още може да поддържа структурна стабилност над 1600 ° C, далеч надвишаваща традиционната алуминиева керамика (около 2000 ° C), особено подходяща за полупроводникови високотемпературни процеси.

● Отлично изпълнение на термичното управление:

✔ Висока топлопроводимост: Топлинната проводимост на плътната SIC е около 120 w/(m · k). Въпреки че порестата структура леко намалява топлинната проводимост, тя все още е значително по -добра от повечето керамика и поддържа ефективно разсейване на топлината.

✔ Ниски коефициент на термично разширяване (4.0 × 10⁻⁶/° C): почти никаква деформация при висока температура, избягване на повреда на устройството, причинена от топлинно напрежение.

● Отлична химическа стабилност

Киселина и алкална корозионна устойчивост (особено изключителна в HF среда), устойчивост на окисляване с висока температура, подходяща за тежки среди като офорт и почистване.

● Изключителни механични свойства

✔ Висока твърдост (твърдост на MOHS 9.2, втори след диаманта), силна устойчивост на износване.

✔ Силата на огъване може да достигне 300-400 MPa, а дизайнът на структурата на порите отчита както леката, така и механичната якост.

● Функционализирана пореста структура

✔ Висока специфична повърхност: Подобряване на ефективността на дифузия на газа, подходяща като реакционна газова плоча.

✔ Контролируема порьозност: Оптимизиране на проникването на течността и работата на филтрацията, като равномерно образуване на филми в процеса на CVD.

Специфична роля в производството на полупроводници

● Поддръжка на процеса с висока температура и топлинна изолация

Като поддръжка на вафли се използва в високотемпературна оборудване (> 1200 ° C), като дифузионни пещи и пещи за отгряване, за да се избегне замърсяване с метали.

Порестата структура има както функции за изолация, така и поддръжка, намалявайки загубата на топлина.

● Еднообразно разпределение на газа и контрол на реакцията

В оборудването за отлагане на химически пари (CVD), като плоча за разпределение на газ, порите се използват за равномерно транспортиране на реактивни газове (като SIH₄, NH₃) за подобряване на равномерността на отлагането на тънките филми.

При сухо офорт порестата структура оптимизира плазменото разпределение и подобрява точността на офорт.

● Електростатични компоненти на патронника (ESC)

Порестата SIC се използва като електростатичен субстрат на патронника, който постига вакуумна адсорбция чрез микропори, точно фиксира вафлата и е устойчив на плазмена бомбардировка и има дълъг експлоатационен живот.

● Корозионни компоненти

Използва се за лигавицата на кухината на мокро офорт и почистване на оборудване, той се съпротивлява на корозия от силни киселини (като H₂so₄, HNO₃) и силни алкали (като KOH).

● Контрол на униформата на термичното поле

В единични кристални пещи за растеж на силиций (като метод на Czochralski), като топлинен щит или опора, нейната висока термична стабилност се използва за поддържане на равномерни топлинни полета и намаляване на решетъчните дефекти.

● Филтрация и пречистване

Порестата структура може да пресече замърсители на прахови частици и се използва в ултра-лични системи за доставяне на газ/течност, за да се гарантира чистотата на процеса.

Предимства пред традиционните материали