Полупроводников кварцов звънец

семенаПолупроводниковоКварцов камбанкаВъзпроизвежда множество ключови роли в обработката на полупроводници. The вакуумна система за звънецНе само осигурява стабилна и контролирана реакционна среда, но също така осигурява ефективността и прецизността на различни процеси чрез нейната отлична топлинна стабилност, химическа инертност и оптична прозрачност. Тези характеристики също определят товазвънчева вакуумна камерае незаменим компонент продукт в процеса на производство на полупроводници.

BootПолупроводников кварц създава запечатана среда за обработка, която позволява на технологичните газове да бъдат равномерно разпределени и да реагират с повърхността на вафлата при контролирани условия. следователноПолупроводников кварцов звънец бурканобикновено се използва в процеси като CVD, дифузия и окисляване за точно контрол на състава и налягането на атмосферата, като по този начин се гарантира равномерността на филма и чистотата на материала.

В същото време кварцовите материали имат отлична топлинна стабилност, висока температурна съпротивление (високотемпературната среда при обработката на полупроводници обикновено е до 1000 ° C или повече), а характеристиките на продукта за поддържане на стабилна форма и размер по време на отопление и охлаждане. Това определя, чеКварцов камбанкаможе напълно да гарантира равномерността на температурата на повърхността на вафли във високотемпературната среда на дифузия и окисляване, като по този начин подобри качеството и равномерността на отложен или дифузиран слой.

по-важното е,BootSemiconductor кварц с висока чистота не е лесно да се реагира с процесорните газове във високотемпературни среди и има силна устойчивост на корозия. Тази характеристика на продукта определя, че в процесите, използващи корозивни газове (като някои CVD процес),Полупроводников кварцов звънецможе напълно да поддържа химическа стабилност, като по този начин избягва замърсяване на полупроводникови устройства.

ПолупроводникКварцов камбанка:

Преглед на индустриалната верига за епитаксия на полупроводникови чипове: