SiC покритие барел фиксатор за LPE PE2061S

Vetek Semiconductor е професионален покровител на барела с барел от Китай SICLPE PE2061SПроизводител и доставчик.

Полупроводниковият барел на Vetek Semiconductor за LPE PE2061S е високоефективен продукт, създаден чрез прилагане на фин слой от силициев карбид върху повърхността на силно пречистен изотропен графит. Това се постига чрез собственост на полупроводникови полупроводнициХимическо отлагане на пари (CVD)процес.

Нашият SIC покритие с барел за LPE PE2061S е вид на CVD епитаксиално отлагане на варел реактор е проектиран да осигурява надеждна ефективност в екстремни среди. Изключителното му адхезия на покритието, устойчивостта на окисляване с висока температура и устойчивостта на корозия го правят отличен избор за използване при тежки условия. Освен това, равномерният му термичен профил и моделът на потока на ламинарен газ предотвратяват замърсяването, гарантирайки висококачествен епитаксиален растеж.

Варелообразният дизайн на нашия полупроводникЕпитаксиален реакторОптимизира моделите на потока на ламинарен газ, като гарантира равномерно разпределение на топлина. Това помага да се предотврати всяко замърсяване или дифузия на примесите,Осигуряване на висококачествен епитаксиален растеж на субстратите на вафли.

Ние сме посветени да предоставим на нашите клиенти висококачествени, рентабилни продукти. Нашият CVD SIC покритие с барел предлага предимството на цената на конкурентоспособността, като същевременно поддържа отлична плътност и за дветеграфитна подложкаипокритие от силициев карбид, Осигуряване на надеждна защита във високотемпературна и корозивна работна среда.

SEM ДАННИ ЗА КРИСТАЛНА СТРУКТУРА НА CVD SIC ФИЛМ:

Предоставящият се от барел-покрив барел за растеж на единични кристали показва много висока гладкост на повърхността.

Той свежда до минимум разликата в коефициента на термично разширение между графитния субстрат и

покритие от силициев карбид, което ефективно подобрява здравината на свързване и предотвратява напукване и разслояване.

Както графитният субстрат, така и покритието от силициев карбид имат висока топлопроводимост и отлични възможности за разпределение на топлината.

Има висока точка на топене, висока температураустойчивост на окислениеиКорозионна устойчивост.