Уеб меню

Търсене на продукти

език

Продукти
SIC покритие графитен варел чувствителен за EPI
  • SIC покритие графитен варел чувствителен за EPISIC покритие графитен варел чувствителен за EPI
  • SIC покритие графитен варел чувствителен за EPISIC покритие графитен варел чувствителен за EPI
  • SIC покритие графитен варел чувствителен за EPISIC покритие графитен варел чувствителен за EPI

SIC покритие графитен варел чувствителен за EPI

Основата за нагряване на епитаксиални вафли е продукт със сложна технология на обработка, която е много предизвикателна за машинно оборудване и способности. Vetek semiconductor има усъвършенствано оборудване и богат опит в обработката на графитен варел с покритие от SiC за EPI, може да осигури същия като оригиналния фабричен живот, по-рентабилни епитаксиални варели. Ако се интересувате от нашите данни, моля, не се колебайте да се свържете с нас.
Изпратете запитване 
Описание на продукта

Vetek Semiconductor е China Manufacturer & доставчик, който произвежда основно SIC покритие графитен барел за EPI с дългогодишен опит. Надявам се да изградим бизнес отношения с вас.И (епитакси)е критичен процес в производството на усъвършенствани полупроводници. Това включва отлагането на тънки слоеве материал върху субстрат за създаване на сложни структури на устройството. Покритият с SiC графитен варел токосцептор за EPI обикновено се използва като токосцептор в EPI реактори поради тяхната отлична топлопроводимост и устойчивост на високи температури. сCVD-SiC покритие, Той става по -устойчив на замърсяване, ерозия и термичен шок. Това води до по -дълъг живот на чувствителността и подобреното качество на филма.


Предимства на нашия SUSPECTOR с графитен барел с покритие:


✔ Намалено замърсяване: Инерционната природа на SIC не позволява на примесите да се придържат към повърхността на чувствителността, намалявайки риска от замърсяване на отложените филми.

✔ Повишена устойчивост на ерозия: SiC е значително по-устойчив на ерозия от конвенционалния графит, което води до по-дълъг живот на фиксатора.

✔ Подобрена термична стабилност: SIC има отлична топлопроводимост и може да издържи на високи температури без значително изкривяване.

✔ Подобрено качество на филма: Подобрената термична стабилност и намаленото замърсяване водят до по-висококачествени отложени филми с подобрена еднородност и контрол на дебелината.


Приложения:

SIC покритие с графитни барел -поредици се използват широко в различни EPI приложения, включително:

✔ Светодиоди на базата на GaN

✔ Силова електроника

✔ Оптоелектронни устройства

✔ Високочестотни транзистори

✔ Сензори

Продуктов параметър на SiC Coated Graphite Barrel Suceptor

Физически свойства наизостатичен графит
Собственост единица Типична стойност
Обемна плътност g/cm³ 1.83
Твърдост HSD 58
Електрическо съпротивление μω.m 10
Сила на гъвкавост MPA 47
Якост на натиск MPA 103
Якост на опън MPA 31
Модулът на Young GPA 11.8
Термично разширение (CTE) 10-6K-1 4.6
Топлинна проводимост W·m-1·К-1 130
Среден размер на зърното μm 8-10
Порьозност % 10
Съдържание на пепел ppm ≤10 (след пречистване)

        Забележка: Преди нанасяне на покритие ще направим първо пречистване, след нанасяне на покритие ще направим второ пречистване.

Основни физични свойства на CVD SiC покритие

Основни физични свойства на CVD SiC покритие
Собственост Типична стойност
Кристална структура FCC β фаза поликристална, предимно (111) ориентирана
Плътност на покритието SIC 3,21 g/cm³
CVD Sic Coating Твърдост 2500 твърдост на Vickers （500g товар）
Размер на зърното 2~10 μm
Химическа чистота 99,99995%
Топлинен капацитет 640 J · kg-1·К-1
Температура на сублимация 2700 ℃
Сила на гъвкавост 415 MPa RT 4-точкова
Модулът на Young 430 Gpa 4pt огъване, 1300 ℃
Топлинна проводимост 300W · m-1·К-1
Термично разширение (CTE) 4,5×10-6K-1

ПолупроводникГрафитен барел с покритие от SiC за EPIПроизводствен магазин

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI products shops

Горещи маркери: Графитен барел с покритие от SiC за EPI
Свързана категория
Изпратете запитване
Информация за контакт

  • Адрес

    Wangda Road, улица Зиян, окръг Вуи, град Джинхуа, провинция Жеджианг, Китай

  • Тел

    +86-18069220752

  • Електронна поща

    anny@veteksemi.com

За запитвания относно покритие от силициев карбид, покритие от танталов карбид, специален графит или ценова листа, моля, оставете своя имейл до нас и ние ще се свържем в рамките на 24 часа.
Свързани продукти
Горна плоча с SiC покритие за LPE PE2061S
Горна плоча с SiC покритие за LPE PE2061S Виж повече >>
Поддръжка на SIC покритие за LPE PE2061S
Поддръжка на SIC покритие за LPE PE2061S Виж повече >>
SIC покритие с палачинки за LPE PE3061S 6 '' вафли
SIC покритие с палачинки за LPE PE3061S 6 '' вафли Виж повече >>
Графит с графичен тигел на SIC
Графит с графичен тигел на SIC Виж повече >>
LPE, ако набор от поддръжници на EPI
LPE, ако набор от поддръжници на EPI Виж повече >>
SiC покрит Epi рецептор
SiC покрит Epi рецептор Виж повече >>
Препоръки за новини
Производство на чипове: отлагане на атомен слой (ALD)
Производство на чипове: отлагане на атомен слой (ALD)Виж повече >>
Какво е CVD TAC покритие? - Ветексеми
Какво е CVD TAC покритие? - ВетексемиВиж повече >>
Защо графитният ток с покритие от SiC се проваля? - VeTek Semiconductor
Защо графитният ток с покритие от SiC се проваля? - VeTek SemiconductorВиж повече >>
Принципи и технология за физическо отлагане на пари (PVD) покритие (2/2) - полупроводник на Vetek
Принципи и технология за физическо отлагане на пари (PVD) покритие (2/2) - полупроводник на VetekВиж повече >>
Характеристики на силициевата епитаксия
Характеристики на силициевата епитаксияВиж повече >>
Съобщава се, че китайски компании разработват 5nm чипове с Broadcom!
Съобщава се, че китайски компании разработват 5nm чипове с Broadcom!Виж повече >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept