Колекционерски център SIC

Vetek Semiconductor SIC Coverating Collector Center играе важна роля в производството на Semiconducor EPI процес. Това е един от ключовите компоненти, използвани за разпределение и контрол на газа в камера за епитаксиална реакция.Sic покритиеиTAC покритиев нашата фабрика.

Ролята на центъра на колекционера на SIC Colector е следната:

● Разпределение на газ: Collector Collector Center Colector се използва за въвеждане на различни газове в камерата за епитаксиална реакция. Той има множество входове и търговски обекти, които могат да разпределят различни газове на желаните места, за да отговорят на специфичните нужди от епитаксиален растеж.

● Контролен газ: SIC Coating Collector Center постига прецизно управление на всеки газ през клапани и устройства за контрол на потока. Този прецизен контрол на газа е от съществено значение за успеха на процеса на растеж на епитаксиалния растеж за постигане на желаната концентрация на газ и дебит, като гарантира качеството и консистенцията на филма.

● Еднообразност: Дизайнът и оформлението на централния пръстен за събиране на газ помагат за постигане на равномерно разпределение на газ. Чрез разумния път и режим на разпределение на газа газът се смесва равномерно в епитаксиалната реакционна камера, така че да се постигне равномерен растеж на филма.

В производството на епитаксиални продукти, Collector Colector Center играе ключова роля в качеството, дебелината и еднаквостта на филма. Чрез правилното разпределение и контролЕпитаксиален процес на растеж, така че да се получат висококачествени епитаксиални филми.

В сравнение с центъра на колекционера на графит, Collector Collector Collection е подобрена топлопроводимост, засилена химическа инертност и превъзходна устойчивост на корозия. Покритието на силициев карбид значително засилва способността за управление на термичното управление на графитния материал, което води до по -добра равномерност на температурата и постоянен растеж на филма в епитаксиалните процеси. Освен това, покритието осигурява защитен слой, който се съпротивлява на химическата корозия, удължавайки живота на графитните компоненти. Като цялоСиликонов карбид покритГрафитният материал предлага превъзходна топлопроводимост, химическа инертност и устойчивост на корозия, като гарантира повишена стабилност и висококачествен растеж на филма в епитаксиалните процеси.

CVD SIC филм Кристална структура:

Основни физически свойства на CVD SIC покритие

ПолупроводникКолекционерски център SICПроизводствен магазин