Силиконов карбид (SIC) Конзолна гребла

Конзолната гребло от силициев карбид (SiC) е незаменим ключов компонент в процеса на обработка на пластини. Това е главно част от системата за транспортиране на вафли. Той поема важната задача да пренася и транспортира вафли в оборудване като високотемпературни оксидационни дифузионни пещи, осигурявайки концентричността на вафлата и тръбата на пещта и подобрявайки консистенцията и добива на обработка на вафли.

SIC Cantilever Paddle има отлична високотемпературна характеристика: В високотемпературна среда до 1600 ℃, SIC Contilever Paddle все още може да поддържа висока якост и стабилност, няма да се деформира, повреда и други проблеми и може да работи стабилно дълго време.

Конзолата от силициев карбид е изработена от SiC материал с висока чистота и никакви частици няма да паднат по време на обработката на пластината, като се избягва замърсяване на повърхността на пластината. Материалът от силициев карбид има висока якост на огъване и може да издържи на по-голямо напрежение при носене на повече пластини и не е склонен към счупване, което гарантира безопасността и стабилността на процеса на предаване на пластини. Отличната химическа стабилност на SiC помага на конзолната пластина на SiC да устои на корозия от различни химикали и газове, предотвратява замърсяването на пластината от примеси поради корозия на материала и удължава експлоатационния живот на продукта.

Работна схема на SiC Contilever Paddle

Спецификации на продукта

● Различни размери: Ние предлагаме конзолни лопатки от силициев карбид (SiC) с различни размери, за да отговорим на нуждите на различни видове полупроводниково оборудване и обработка на пластини с различни размери.

●  Персонализирано обслужване: В допълнение към продуктите на стандартните спецификации, можем да създадем и изключителни решения за клиентите според техните специални изисквания, като специфичен размер, форма, капацитет на товаро и т.н.

●  Дизайн на формоване от една част: Обикновено се произвежда с помощта на процес на формоване от едно части, включително секцията за свързване, преходната секция и секцията за лагери. Частите са плътно свързани и имат силна цялост, което ефективно подобрява структурната якост и стабилността на продукта и намалява риска от повреда, причинена от слаби части за свързване.

●  Подсилена конструкция: Някои продукти са оборудвани с укрепващи структури в ключови части като преходната секция, като долната плоча, плочата на налягане, свързващия прът и др. , подобрява надеждността на силата с висока чистота SIC Contilever Paddle при пренасяне на вафлата и предотвратява проблеми като счупване в областта на прехода.

●  Специален дизайн на носещата зона: Дизайнът на носещата зона изцяло отчита разположението и топлопредаването на пластината. Някои продукти са оборудвани с U-образни жлебове, отвори с дълга лента, правоъгълни отвори и други структури в зоната на лагера, което не само намалява теглото на самата зона на лагера, но също така намалява контактната площ с пластината, за да се избегне блокиране на топлината. В същото време той може също така да осигури стабилността на вафлата по време на предаване и да предотврати падането на вафлата.

Физични свойства на прекристализиран силициев карбид:

По време на производствения процес всяка конзолна гребло от силициев карбид (SiC) трябва да бъде подложена на стриктни проверки на качеството, включително проверка на точността на размерите, проверка на външния вид, изпитване на физически свойства, изпитване на химическа стабилност и т.н., за да се гарантира, че продуктът отговаря на високи стандарти за качество и може да отговаря строгите изисквания за обработка на полупроводникови пластини.

VeTek Semiconductorпредоставя пълна гама от следпродажбени услуги. Ако клиентите срещнат някакви проблеми по време на употреба, професионалният екип за следпродажбено обслужване ще реагира своевременно и ще предостави на клиентите бързи и ефективни решения, за да гарантира, че производството на клиентите няма да бъде засегнато.

VeTek SemiconductorЦехове за производство на конзолни гребла с висока чистота SiC: