Tantalum Carbide Ride Ring

ПолупроводникРъководство за карбид Tantalum Ringе изработен отГрафитипокрит с карбид tantalum, комбинация, която използва най -добрите свойства на двата материала, за да осигури превъзходна производителност и дълголетие.

TheTAC покритиеНа пръстена на водещия карбид Tantalum гарантира, че той остава химически инертен в реактивните атмосфери на пещите с растеж на кристалите SIC, които често включват газове като водород, аргон и азот. Тази химическа инертност е жизненоважна за предотвратяване на всяко замърсяване на нарастващия кристал, което може да доведе до дефекти и намалена ефективност на последните полупроводникови продукти. Освен това, термичната стабилност, осигурена от покритието TACРастеж на кристалите на SIC, обикновено надвишаващи 2000 ° C.

Освен това, комбинацията от графит и TAC в пръстена за покритие на карбид Tantalum оптимизира термичното управление в пещта за растеж на кристала. Високата термична проводимост на Graphite ефективно разпределя топлината, предотвратявайки горещи точки и насърчава равномерния растеж на кристалите. Междувременно покритието с карбид Tantalum служи като термична бариера, предпазвайки графитното ядро ​​от директно излагане на високи температури и реактивни газове. Тази синергия между ядрото и материалите за покритие води до водещ пръстен, който не само издържа на суровите условия на растежа на кристалите на SIC, но и повишава общата ефективност и качество на процеса.

Механичните свойства на полупроводниковия карбид Vetek значително намаляват износването на пръстена на покритието на Tantalum Carbide. Това е от решаващо значение поради повтарящия се характер наПроцес на растеж на кристал, който излага водачния пръстен на чести термични цикли и механични напрежения. Твърдостта и устойчивостта на износване на Tantalum гарантират, че водещият пръстен поддържа структурната си цялост и прецизни размери за дълги периоди, като свежда до минимум необходимостта от чести замествания и намаляване на престоя в производствения процес.

Vetek полупроводник Tantalum Carbide Coating Ring е съществен компонент в полупроводниковата индустрия, специално разработен за растеж на растежаКристали от силициев карбид. Дизайнът му използва силните страни на графит и танталум карбид, за да постигне изключителна производителност във високотемпературна, високо напрежение. TAC покритието гарантира химическа инертност, механична издръжливост и термична стабилност, всички от които са от решаващо значение за производството на висококачествени SIC кристали. Чрез поддържането на своята цялост и функционалност при екстремни условия, водещият пръстен поддържа ефективния и без дефекти растеж на SIC кристалите, допринасяйки за развитието на устройства с висока мощност и високочестотни полупроводникови устройства.

Tantalum карбид (TAC) покритие върху микроскопично напречно сечение:

Физични свойства на TAC покритие: