TAC покритие планетарен престор

В сферата на производството на полупроводници, планетарният смит на покритието на TAC играе решаваща роля. Той се използва широко при растежа на епитаксиалните слоеве на силициев карбид (SIC) в оборудване като Aixtron G5 система. Освен това, когато се използва като външен диск в отлагането на покритие на Tantalum Carbide (TAC) за SIC епитаксия, планетарният сумптор на покритието осигурява основна опора и стабилност. Той гарантира равномерно отлагане на карбидния слой на танталум, допринасяйки за образуването на висококачествени епитаксиални слоеве с отлична повърхностна морфология и желаната дебелина на филма. Химическата инертност на покритието на TAC предотвратява нежеланите реакции и замърсяване, поддържайки целостта на епитаксиалните слоеве и осигурявайки тяхното превъзходно качество.

Изключителната топлопроводимост на Tac Coating позволява ефективен топлопренос, насърчавайки равномерното разпределение на температурата и минимизиране на топлинния стрес по време на процеса на растеж на епитаксиалния растеж. Това води до производството на висококачествени SIC епитаксиални слоеве с подобрени кристалографски свойства и засилена електрическа проводимост.

Прецизните размери и здравата конструкция на планетарния диск на TAC улесняват интегрирането в съществуващите системи, осигурявайки безпроблемна съвместимост и ефективна работа. Надеждният му производителност и висококачественото TAC покритие допринасят за последователни и равномерни резултати в процесите на епитаксия на SIC.

Trust Vetek Semiconductor и нашият TAC покритие на планетарен диск за изключителна производителност и надеждност в SIC Epitaxy. Изживейте предимствата на нашите иновативни решения, позиционирайки ви начело на технологичния напредък в полупроводниковата индустрия.