Технологии и решения

Избирането на правилния CVD SiC, TaC покритие или Solid SiC директно определя нивата на частиците и живота на компонентите върху линиите за епитаксия/ецване. Тази статия предоставя ясни граници за избор по температура, атмосфера и процес, съчетани с основни решения за подмяна на оборудване и ключови показатели, за да ви помогне да вземате бързи решения и да намалите риска.

Открийте как водната лазерна технология на VeTek осигурява равномерни Φ0,15 mm проходни отвори в 2 mm SiC субстрати без конусност, минимална HAZ и висок добив за полупроводникови приложения.

Най-предизвикателният технически проблем за кухите повдигащи щифтове на полупроводниковото оборудване не е покритието на външната повърхност, а постигането на стабилно и равномерно CVD покритие върху вътрешната стена на кухата структура. От контрол на равномерността на покритието на вътрешната стена до осигуряване на чистота на вътрешния отвор, всяка стъпка на процеса влияе пряко върху добива на пластини. Тази статия анализира основните предизвикателства на покритието на вътрешната стена на кухия повдигащ щифт и ключовите технически пътища.