Тигел за монокристален силиций

В метода CZ (Czochralski) един кристал се отглежда чрез привеждане на монокристално семе в контакт с разтопен поликристален силиций. Семето постепенно се дърпа нагоре, докато се върти бавно. В този процес се използва значителен брой графитни части, което го прави методът, който използва най -голямото количество графитни компоненти в производството на полупроводници от силиций.

Правилната картина предоставя схематично представяне на еднокристална производствена пещ на силиций въз основа на метода CZ.

Полупроводниковият тигел на Vetek за монокристален силиций осигурява стабилна и контролирана среда от решаващо значение за прецизното образуване на полупроводникови кристали. Те играят важна роля за отглеждането на монокристални силициеви блокове, използвайки усъвършенствани техники като процеса на Czochralski и методите на Float-Zone, които са жизненоважни за производството на висококачествени материали за електронни устройства.

Проектирани за изключителна термична стабилност, химическа устойчивост на корозия и минимално термично разширение, тези тигели гарантират издръжливост и устойчивост. Те са проектирани да издържат на сурови химически среди, без да се компрометира структурната цялост или ефективност, като по този начин разширява живота на тигела и поддържат постоянни показатели при продължителна употреба.

Уникалният състав на полупроводникови тигели на Vetek за монокристален силиций им позволява да издържат на екстремните условия на високотемпературна обработка. Това гарантира изключителна термична стабилност и чистота, които са от решаващо значение за обработката на полупроводници. Съставът също улеснява ефективния пренос на топлина, като насърчава равномерната кристализация и минимизиране на топлинните градиенти в силицийната стопилка.

✔ Защита на основния материал: TheCVD SIC покритиедейства като защитен слой по време на епитаксиалния процес, като ефективно екранира основния материал от ерозия и увреждане, причинени от външната среда. Тази защитна мярка значително удължава експлоатационния живот на оборудването.

✔ Отлична топлопроводимост: Нашето CVD SIC покритие притежава изключителна топлопроводимост, ефективно прехвърляйки топлина от основния материал към повърхността на покритието. Това повишава ефективността на термичното управление по време на епитаксията, като осигурява оптимални работни температури за оборудването.

✔ Подобрено качество на филма: CVD SIC покритието осигурява плоска и равномерна повърхност, създавайки идеална основа за растеж на филма. Той намалява дефектите в резултат на несъответствие на решетката, повишава кристалността и качеството на епитаксиалния филм и в крайна сметка подобрява неговата производителност и надеждност.