Графитен дисков приемник

Graphite Disc Susceptor на Vetek Semiconductor, високоефективен продукт за модерни процеси за производство на полупроводници. Нашият графитен дисков приемник е проектиран да отговори на взискателните изисквания на индустрията и да осигури изключителна производителност и надеждност. Този предавател на графитен диск е OEM за платформата Planetary Reactor на AIX G5.

GaN-on-Si MOCVD се използва за LED епитаксиално производство, а реакторът Aixtron G5 подобрява добива и еднородността на MOCVD платформата. Напълно завъртян симетричен еднообразен модел върху пет 200 mm пластини, използвайки силициев субстрат със стандартна дебелина и контролирайки поведението на огъване на пластините, формализира това, от което се нуждаеха за производството на силиций.

Graphite Disc Susceptor с висока чистота на Vetek Semiconductor за GaN-on-Si MOCVD, надеждно и рентабилно решение за модерни процеси за производство на полупроводници.

Нашият графитен диск с висока чист е специално проектиран да отговаря на изискванията на GAN-on-Si MOCVD процесите. С изключителната си термична стабилност и топлинна устойчивост, тя може да издържи взискателните температурни условия, обикновено вариращи от 800 ° C до 1100 ° C, като гарантира оптимална характеристика по време на процеса на отлагане.

Графитният материал с висока чистота, използван в нашия дисков, осигурява отлична химическа устойчивост, което го прави съвместим с амоняка (NH3) и предшественици на органични метали, които обикновено се използват в Gan-on-Si MoCVD. Това елиминира необходимостта от допълнителниSiC покрития, намаляване на производствените разходи без компромис с производителността.

Графитен диск на Vetek Semiconductor Graphite Disc предлага рентабилно решение, без да се компрометира качеството. Неговата надеждност, издръжливост и съвместимост с GAN-on-Si MOCVD процесите го правят предпочитаният избор за производителите на полупроводници. Доверете се на полупроводник на Vetek, за да доставите високопроизводителни графитни дискови пострадатели за вашите нужди на Gan-on-Si MoCVD.