CVD SIC SOSPECTOR

Полупроводник CVD SIC Sousceptor се произвежда с помощта на най -новата технология за отлагане на химически пари (CVD), за да се осигури отлична издръжливост и адаптивност на екстремната температура. По -долу са основните му физически свойства:

● Топлинна стабилност: Високата термична стабилност на CVD SIC осигурява стабилни характеристики при условия на висока температура.

● Нисък коефициент на термично разширение: Материалът има изключително нисък коефициент на термично разширение, който свежда до минимум изкривяването и деформацията, причинени от температурните промени.

● Химическа устойчивост на корозия: Отличната химическа устойчивост му позволява да поддържа висока производителност в различни тежки среди.

Прецизна поддръжка и оптимизиран пренос на топлина

SIC покритие на основата на палачинки на Veteksemi е проектирана да побере полупроводникови вафли и да осигури отлична подкрепа по време на епитаксиално отлагане. SIC Pankake Sousceptor е проектиран с помощта на усъвършенствана технология за изчислителна симулация, за да се сведе до минимум изкривяването и деформацията при различни условия на температура и налягане. Типичният му коефициент на термично разширяване е около 4,0 × 10^-6/° C, което означава, че неговата стабилност на размерите е значително по-добра от традиционните материали във високотемпературни среди, като по този начин се гарантира консистенцията на дебелината на вафли (обикновено от 200 mm до 300 mm).

В допълнение, SOSCEPPECTOR PANCAKE CVD се отличава с топлопреминаване, с топлинна проводимост до 120 W/M · K. Тази висока топлопроводимост може бързо и ефективно да води топлина, да повиши равномерността на температурата в пещта, да гарантира равномерно разпределение на топлина по време на епитаксиално отлагане и да намали дефектите на отлагането, причинено от неравномерна топлина. Оптимизираната ефективност на топлопреминаването е от решаващо значение за подобряване на качеството на отлагане, което може ефективно да намали колебанията на процеса и да подобри добива.

Чрез тези оптимизации на дизайна и производителността, CVD SIC Pancake Sustceptor на CVD SIC Pancake предоставя солидна основа за производство на полупроводници, като гарантира надеждността и последователността при сурови условия за обработка и изпълнение на строгите изисквания на съвременната полупроводникова индустрия за висока точност и качество.

CVD SIC филм Кристална структура

Основни физически свойства на CVD SIC покритие

Основни физически свойства на CVD SIC покритие
Собственост	Типична стойност
Кристална структура	FCC β фазов поликристален, главно (111) ориентиран
Плътност	3.21 g/cm³
Твърдост	2500 твърдост на Vickers （500g товар）
Размер на зърното	2 ~ 10 мм
Химическа чистота	99.99995%
Топлинен капацитет	640 J · kg-1· K-1
Температура на сублимация	2700 ℃
Сила на гъвкавост	415 MPa RT 4-точкова
Модулът на Йънг	430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Топлинна проводимост	300W · m-1· K-1
Термично разширение (CTE)	4.5 × 10-6K-1