Продукти
Продукти
Halfmoon за LPE реакционна камера
  • Halfmoon за LPE реакционна камераHalfmoon за LPE реакционна камера
  • Halfmoon за LPE реакционна камераHalfmoon за LPE реакционна камера
  • Halfmoon за LPE реакционна камераHalfmoon за LPE реакционна камера

Halfmoon за LPE реакционна камера

Halfmoon е графитен компонент, използван в LPE SiC реактори, главно инсталирани около горещата зона на камерата. Въпреки че не контактува директно с пластината, той все още играе роля в стабилността на газовия поток и работата на реактора по време на епитаксиален растеж. За да се справи с висока температура и реактивни условия на процеса, компонентът обикновено е защитен с CVD SiC покритие, докато TaC покритие също е налично за някои приложения. VETEK също така доставя изолация от графитен филц и други покрити графитни части за SiC системи за епитаксия.
Рейтинг: 5.0
(Брой рейтинги: 1)

Какво е полумесец в реакционна камера на LPE?

Halfmoon in an LPE Reaction Chamber Diagram

В много LPE хоризонтални реактори, Halfmoon е част от вътрешната камера. Различните производители на оборудване може да използват малко по-различни структури, но функцията като цяло е сходна. Компонентът обикновено е разделен на горна и долна секции:

  • Горен полумесец:Горната част работи главно като поддържаща конструкция вътре в реактора. Тъй като остава близо до зоната на високотемпературен процес за дълги периоди, материалът трябва да остане стабилен без видима деформация след многократни термични цикли. Друг важен момент е химическата стабилност. По време на SiC епитаксия средата на камерата съдържа реактивни газове, така че повърхността на графита трябва да бъде правилно защитена.
  • Долен полумесец:Долната секция е свързана близо до областта на кварцовата тръба и въртящия се модул. Той участва във въвеждането на газ и механичната поддръжка по време на епитаксиален растеж. В сравнение с обикновените графитни структурни части, долният Halfmoon обикновено е изправен пред по-високи изисквания за устойчивост на окисление и устойчивост на термичен шок поради непрекъснатото нагряване и охлаждане по време на работа на реактора.


Основни характеристики на VETEK Halfmoon за LPE реакционна камера


1. Графитен субстрат с висока чистота

Основният материал е графит с висока чистота, подходящ за среди с полупроводникови процеси. Чистотата на материала е важна при епитаксията на SiC, тъй като замърсяването с метал може да повлияе на стабилността на растежа на кристалите и качеството на филма. VETEK използва пречистени графитни материали с контролирани нива на примеси за това приложение.


2. Усъвършенствано CVD SiC & TaC покритие

Повечето компоненти на Halfmoon са покрити с CVD SiC за подобряване на защитата на повърхността при условия на високотемпературен процес. За по-взискателни среди се предлага и TaC покритие. Типичните предимства на структурите с покритие включват:

  • по-добра устойчивост на корозивни технологични газове
  • по-ниско генериране на частици
  • подобрена издръжливост на повърхността
  • по-добра стабилност по време на топлинен цикъл

 

При практическа употреба изборът на покритие обикновено зависи от температурата на реактора, химията на процеса и очаквания експлоатационен живот.


3. Отлична термична стабилност

Проектиран за високотемпературни среди за обработка на полупроводници, VETEK Halfmoon поддържа стабилност на размерите и структурна цялост по време на продължителни епитаксиални цикли, което го прави много подходящ за LPE и MOCVD оборудване.


4. Прецизна CNC обработка

VETEK притежава усъвършенствани възможности за прецизна обработка с ЦПУ с контрол на размерите на микронно ниво, осигурявайки отлична съвместимост със сложни LPE реакторни структури и персонализирани изисквания към оборудването.


5. Дълъг експлоатационен живот

Чрез оптимизирана технология за адхезия на покритието и обработка на материала с висока чистота, компонентите на VETEK Halfmoon демонстрират отлична издръжливост при многократни термични цикли и корозивни технологични газове, намалявайки честотата на поддръжка и общите оперативни разходи.


Технически предимства

Характеристика
VETEK Halfmoon
Основен материал
Графит с висока чистота
Повърхностна обработка
CVD SiC покритие / опционално TaC покритие
Работна температура
до 2000°C+
Дебелина на покритието
50 – 200 μm (регулируем)
Чистота на покритието
>99,99999%
Приложение
SiC епитаксия / LPE реактор
Температурна устойчивост
Отлична стабилност при високи температури
Устойчивост на корозия
Изключителен
Еднородност на покритието
Контрол с висока точност
Контрол на частиците
Ниско генериране на частици
Персонализиране
Наличен
Съвместимост на оборудването
LPE / Персонализирани системи


Приложения


Реакционната камера VETEK Halfmoon за LPE се използва широко в:

  • Системи за епитаксия от силициев карбид (SiC).
  • LPE хоризонтални реактори
  • Оборудване за епитаксиален растеж на полупроводници
  • Високотемпературни камери за CVD процеси
  • Усъвършенствани полупроводникови системи с термично поле
  • Системи за растеж на кристали SiC
  • Производство на полупроводници от трето поколение

Нашите продукти са съвместими с множество платформи за основно оборудване в индустрията и могат да бъдат персонализирани според чертежите на клиента или спецификациите на реактора.


Защо да изберете VETEK Semiconductor?


VETEK Semiconductor се фокусира върху полупроводникови графитни компоненти и технологии за покритие от много години. От 2016 г. компанията продължава да развива възможностите си в пречистваща обработка, прецизна графитна обработка и производство на CVD покрития за полупроводникови приложения.

Възможности на VETEK:

  • Опит с компоненти за епитаксия на SiC и части за реактори
  • Вътрешно производство на CVD SiC и TaC покрития
  • Контрол на пречистването на материала на ниво полупроводник
  • Изработка по поръчка по чертеж или мостра
  • Стабилен производствен капацитет за партидни поръчки
  • Доставка на графитен филц и термични полеви материали
  • Система за управление на качеството ISO9001
  • Техническа поддръжка за чуждестранни клиенти


ЧЗВ


(1) Каква е функцията на Halfmoon в LPE реактор?

Компонентът Halfmoon поддържа насочване на газовия поток, интегриране на структурата на камерата, управление на температурата и въртене на токоприемника вътре в епитаксиалната реакционна камера.

(2) Полумесецът в пряк контакт ли е с вафлата?

Обикновено не. В повечето структури на LPE реактора Halfmoon остава около модула на камерата, вместо да докосва пластината директно.

(3) Защо да използвате SiC или TaC покритие на повърхността?

Покритието е основно за защита. По време на SiC епитаксия, графитните части са изложени на висока температура и реактивни газове за дълги периоди. Покритието спомага за подобряване на устойчивостта на окисление и намалява повърхностното износване и генерирането на частици.

(4) Може ли частта да бъде персонализирана?

да Повечето части на Halfmoon всъщност са направени според структурата на реактора и чертежите на клиента, тъй като размерите и детайлите на монтажа често варират между платформите на оборудването.

  

Изпратете запитване
Информация за контакт
  • Адрес

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, Китай

  • електронна поща

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Рейтинг:
5.0
X
Ние използваме бисквитки, за да ви предложим по-добро сърфиране, да анализираме трафика на сайта и да персонализираме съдържанието. Използвайки този сайт, вие се съгласявате с използването на бисквитки от наша страна. Политика за поверителност
ОтхвърлянеПриеми