Продукти
Halfmoon за LPE реакционна камера
  • Halfmoon за LPE реакционна камераHalfmoon за LPE реакционна камера
  • Halfmoon за LPE реакционна камераHalfmoon за LPE реакционна камера
  • Halfmoon за LPE реакционна камераHalfmoon за LPE реакционна камера

Halfmoon за LPE реакционна камера

Halfmoon е графитен компонент, използван в LPE SiC реактори, главно инсталирани около горещата зона на камерата. Въпреки че не контактува директно с пластината, той все още играе роля в стабилността на газовия поток и работата на реактора по време на епитаксиален растеж. За да се справи с висока температура и реактивни условия на процеса, компонентът обикновено е защитен с CVD SiC покритие, докато TaC покритие също е налично за някои приложения. VETEK също така доставя изолация от графитен филц и други покрити графитни части за SiC системи за епитаксия.

Какво е полумесец в реакционна камера на LPE?

Halfmoon in an LPE Reaction Chamber Diagram

В много LPE хоризонтални реактори, Halfmoon е част от вътрешната камера. Различните производители на оборудване може да използват малко по-различни структури, но функцията като цяло е сходна. Компонентът обикновено е разделен на горна и долна секции:

  • Горен полумесец:Горната част работи главно като поддържаща конструкция вътре в реактора. Тъй като остава близо до зоната на високотемпературен процес за дълги периоди, материалът трябва да остане стабилен без видима деформация след многократни термични цикли. Друг важен момент е химическата стабилност. По време на SiC епитаксия средата на камерата съдържа реактивни газове, така че повърхността на графита трябва да бъде правилно защитена.
  • Долен полумесец:Долната секция е свързана близо до областта на кварцовата тръба и въртящия се модул. Той участва във въвеждането на газ и механичната поддръжка по време на епитаксиален растеж. В сравнение с обикновените графитни структурни части, долният Halfmoon обикновено е изправен пред по-високи изисквания за устойчивост на окисление и устойчивост на термичен шок поради непрекъснатото нагряване и охлаждане по време на работа на реактора.


Основни характеристики на VETEK Halfmoon за LPE реакционна камера


1. Графитен субстрат с висока чистота

Основният материал е графит с висока чистота, подходящ за среди с полупроводникови процеси. Чистотата на материала е важна при епитаксията на SiC, тъй като замърсяването с метал може да повлияе на стабилността на растежа на кристалите и качеството на филма. VETEK използва пречистени графитни материали с контролирани нива на примеси за това приложение.


2. Усъвършенствано CVD SiC & TaC покритие

Повечето компоненти на Halfmoon са покрити с CVD SiC за подобряване на защитата на повърхността при условия на високотемпературен процес. За по-взискателни среди се предлага и TaC покритие. Типичните предимства на структурите с покритие включват:

  • по-добра устойчивост на корозивни технологични газове
  • по-ниско генериране на частици
  • подобрена издръжливост на повърхността
  • по-добра стабилност по време на топлинен цикъл

 

При практическа употреба изборът на покритие обикновено зависи от температурата на реактора, химията на процеса и очаквания експлоатационен живот.


3. Отлична термична стабилност

Проектиран за високотемпературни среди за обработка на полупроводници, VETEK Halfmoon поддържа стабилност на размерите и структурна цялост по време на продължителни епитаксиални цикли, което го прави много подходящ за LPE и MOCVD оборудване.


4. Прецизна CNC обработка

VETEK притежава усъвършенствани възможности за прецизна обработка с ЦПУ с контрол на размерите на микронно ниво, осигурявайки отлична съвместимост със сложни LPE реакторни структури и персонализирани изисквания към оборудването.


5. Дълъг експлоатационен живот

Чрез оптимизирана технология за адхезия на покритието и обработка на материала с висока чистота, компонентите на VETEK Halfmoon демонстрират отлична издръжливост при многократни термични цикли и корозивни технологични газове, намалявайки честотата на поддръжка и общите оперативни разходи.


Технически предимства

Характеристика
VETEK Halfmoon
Основен материал
Графит с висока чистота
Повърхностна обработка
CVD SiC покритие / опционално TaC покритие
Работна температура
до 2000°C+
Дебелина на покритието
50 – 200 μm (регулируем)
Чистота на покритието
>99,99999%
Приложение
SiC епитаксия / LPE реактор
Температурна устойчивост
Отлична стабилност при високи температури
Устойчивост на корозия
Изключителен
Еднородност на покритието
Контрол с висока точност
Контрол на частиците
Ниско генериране на частици
Персонализиране
Наличен
Съвместимост на оборудването
LPE / Персонализирани системи


Приложения


Реакционната камера VETEK Halfmoon за LPE се използва широко в:

  • Системи за епитаксия от силициев карбид (SiC).
  • LPE хоризонтални реактори
  • Оборудване за епитаксиален растеж на полупроводници
  • Високотемпературни камери за CVD процеси
  • Усъвършенствани полупроводникови системи с термично поле
  • Системи за растеж на кристали SiC
  • Производство на полупроводници от трето поколение

Нашите продукти са съвместими с множество платформи за основно оборудване в индустрията и могат да бъдат персонализирани според чертежите на клиента или спецификациите на реактора.


Защо да изберете VETEK Semiconductor?


VETEK Semiconductor се фокусира върху полупроводникови графитни компоненти и технологии за покритие от много години. От 2016 г. компанията продължава да развива възможностите си в пречистваща обработка, прецизна графитна обработка и производство на CVD покрития за полупроводникови приложения.

Възможности на VETEK:

  • Опит с компоненти за епитаксия на SiC и части за реактори
  • Вътрешно производство на CVD SiC и TaC покрития
  • Контрол на пречистването на материала на ниво полупроводник
  • Изработка по поръчка по чертеж или мостра
  • Стабилен производствен капацитет за партидни поръчки
  • Доставка на графитен филц и термични полеви материали
  • Система за управление на качеството ISO9001
  • Техническа поддръжка за чуждестранни клиенти


ЧЗВ


(1) Каква е функцията на Halfmoon в LPE реактор?

Компонентът Halfmoon поддържа насочване на газовия поток, интегриране на структурата на камерата, управление на температурата и въртене на токоприемника вътре в епитаксиалната реакционна камера.

(2) Полумесецът в пряк контакт ли е с вафлата?

Обикновено не. В повечето структури на LPE реактора Halfmoon остава около модула на камерата, вместо да докосва пластината директно.

(3) Защо да използвате SiC или TaC покритие на повърхността?

Покритието е основно за защита. По време на SiC епитаксия, графитните части са изложени на висока температура и реактивни газове за дълги периоди. Покритието спомага за подобряване на устойчивостта на окисление и намалява повърхностното износване и генерирането на частици.

(4) Може ли частта да бъде персонализирана?

да Повечето части на Halfmoon всъщност са направени според структурата на реактора и чертежите на клиента, тъй като размерите и детайлите на монтажа често варират между платформите на оборудването.

  

Горещи маркери: Halfmoon за LPE реакционна камера
Изпратете запитване
Информация за контакт
  • Адрес

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, Китай

  • електронна поща

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Ние използваме бисквитки, за да ви предложим по-добро сърфиране, да анализираме трафика на сайта и да персонализираме съдържанието. Използвайки този сайт, вие се съгласявате с използването на бисквитки от наша страна. Политика за поверителност
ОтхвърлянеПриеми