Пръстен за покритие от графитени пластини с TaC покритие

Основни технически предимства

• Изключителна химическа устойчивост: Проектиран да издържа на агресивни ецващи газове (H₂, NH3, HCl) при температури между 1200°C и 2000°C.

• Съвпадение на топлинното разширение: Нашият патентован CVD процес гарантира, че TaC покритието има оптимизирано съвпадение на CTE (коефициент на топлинно разширение) с графитния субстрат, предотвратявайки отлепване или напукване по време на бърз термичен цикъл.

• Превъзходен контрол на частиците: Чрез пълното запечатване на порестия графит, слоят TaC елиминира отделянето на частици, като директно увеличава добива на вашите пластини и намалява времето за престой на реактора.

• Удължен експлоатационен живот: Силно устойчива на износване повърхност, която издържа на повтарящи се цикли на почистване, предлагайки значително по-ниски разходи за притежание (CoO) в сравнение с алтернативи без покритие или покритие със SiC.

Покритие от танталов карбид (TaC) върху микроскопично напречно сечение

Продуктов параметър на пръстена за покритие от графитени пластини с TaC покритие

Защо да изберете нашите TaC покриващи пръстени?

Разбираме, че при производството на полупроводници надеждността е равна на рентабилност. Нашите пръстени за покритие от графитни пластини с TaC покритие са партидно тествани за плътност и чистота на покритието. Независимо дали преминавате от 6-инчово към 8-инчово производство на пластини или оптимизирате високотемпературен MOCVD процес, нашите пръстени осигуряват топлинното и химическо екраниране, необходимо за епитаксия от световна класа.