Табла за носещи вафли

Можете да бъдете спокойни, че ще закупите тава за носач на вафли от нашата фабрика.

Vetek Semiconductor основно осигурява графитни части на CVD SIC Coating Graphite като тава за носещи вафли за полупроводниковото оборудване на полупроводници от трето поколение и е посветена на осигуряването на модерно и конкурентно производствено оборудване за индустрията. SIC-CVD оборудването се използва за растеж на хомогенен епитаксиален слой с тънък филм с едно кристал върху субстрат на силициев карбид, SIC епитаксиален лист се използва главно за производствени захранващи устройства като диод на Schottky, IGBT, MOSFET и други електронни устройства.

Оборудването тясно съчетава процеса и оборудването. SiC-CVD оборудването има очевидни предимства във висок производствен капацитет, 6/8 инча съвместимост, конкурентна цена, непрекъснат автоматичен контрол на растежа за множество пещи, нисък процент на дефекти, удобство за поддръжка и надеждност чрез дизайна на контрол на температурното поле и контрол на полето на потока. В комбинация с тавата за носене на вафли с покритие от SiC, предоставена от нашия Vetek Semiconductor, тя може да подобри производствената ефективност на оборудването, да удължи живота и да контролира разходите.

Носещата тава за полупроводникови вафли на Vetek има главно висока чистота, добра графитна стабилност, висока прецизност на обработка, плюс CVD SiC покритие, стабилност при висока температура: силициево-карбидните покрития имат отлична стабилност при висока температура и предпазват субстрата от топлина и химическа корозия в среда с изключително висока температура .

Твърда и устойчивост на износване: Силиконовите карбидни покрития обикновено имат висока твърдост, осигурявайки отлична устойчивост на износване и удължаване на експлоатационния живот на субстрата.

Устойчивост на корозия: Покритието от силициев карбид е устойчиво на корозия на много химикали и може да защити субстрата от увреждане от корозия.

Намален коефициент на триене: покритията от силициев карбид обикновено имат нисък коефициент на триене, което може да намали загубите от триене и да подобри работната ефективност на компонентите.

Топлопроводимост: Покритието от силициев карбид обикновено има добра топлопроводимост, което може да помогне на субстрата да разпръсне по-добре топлината и да подобри ефекта на разсейване на топлината на компонентите.

По принцип покритието на CVD силициев карбид може да осигури многократна защита за субстрата, да удължи живота си и да подобри работата му.

Основни физични свойства на CVD SiC покритие:

Производствени цехове:

Преглед на индустриалната верига на епитаксията на полупроводниковите чипове: