SIC покритие за уплътняване за епитакси

Ⅰ. Какво е уплътнен пръстен с покритие от SIC?

SIC покрито уплътнение (силициев карбид, покрито с уплътнение) е компонент за прецизно уплътняване, предназначен за високотемпературна, силно корозивна полупроводникова среда. Ядрото му е чрез химическо отлагане на пари (CVD) или физическо отлагане на пари (PVD), графит или въглероден композитен материал на субстрата, повърхностно покрита със слой от силициев карбид с висока чистота (SIC), образуването както на механичната якост на субстрата, така и на покритието на високоефективни уплътнителни свойства.  

Ⅱ. Състав на продукта и основна технология  

1. Субстрат материал:

Графит или въглероден-въглероден композитен материал: Основният материал има предимството на високата топлинна устойчивост (може да издържи повече от 2000 ℃) и ниския коефициент на термично разширение, като по този начин гарантира стабилността на размерите при екстремни условия, като висока температура.  

Прецизна структура на обработка: Дизайнът на прецизния пръстен може да бъде перфектно адаптиран към кухината на полупроводниковото оборудване, като по този начин се гарантира плоскостта на уплътняващата повърхност и добрата херметичност.  

2. Функционално покритие:  

SIC покритие с висока чистота (чистота ≥99,99%): Дебелината на прикриването обикновено е 10-50 μm, чрез процеса на CVD, за да се образува слой от плътна непостоянна повърхностна структура, което дава на повърхността на уплътнителния пръстен отлична химическа инертност и механични свойства.

Ⅲ. Основни физически свойства и предимства

Уплътнителните пръстени на Veteksemicon са идеални за полупроводникови процеси на епитаксия на полупроводника поради отличното им представяне при екстремни условия. По -долу са специфичните физически свойства на продукта:

IV. Основни приложения в обработката на епитаксията на полупроводниковите  

SIC покритие за уплътняване се използва главно при MOCVD (метално отлагане на химически пари) и MBE (молекулярна епитаксия на лъча) и друго процесно оборудване, специфичните функции включват:  

1. Полупроводниково оборудване Реакционна камера Защита на стегнатостта на въздуха

Нашите уплътнителни пръстени с покритие от SIC гарантират, че размерите на размерите (обикновено в рамките на ± 0,01 мм) на интерфейса с камерата за оборудване (например фланец, основен вал) са възможно най-малки чрез персонализиране на структурата на пръстена. 

В същото време уплътнителният пръстен е прецизен обработен с помощта на машинни инструменти с ЦПУ, за да се гарантира равномерно прилягане около цялата обиколка на контактната повърхност, елиминирайки микроскопичните пропуски. Това ефективно предотвратява изтичането на процесорни газове (например H₂, NH₃), гарантира чистотата на епитаксиалната среда за растеж на слоя и подобрява добива на вафли.  

От друга страна, добрата стегнатост на газа може също да блокира проникването на външни замърсители (O₂, H₂O), като по този начин ефективно избягва дефекти в епитаксиалния слой (като дислокации, неравномерен допинг на примеси).  

2. Поддръжка на динамично уплътняване с висока температура  

Приемане на принципа на синергична антидеформация на субстрат: поради ниския коефициент на термично разширение на графитния субстрат (CTE ≈ 4,5 × 10-°/° C) е много малко, а при екстремни високи температури (＞ 1000 ℃) разширяването е само 1/5 от количеството на металните уплътнения, като по този начин ефективно се избягва запечатването на повърхността е само 1/5 от количеството на количеството на металните уплътнения, като по този начин ефективно се избягва запечатването на повърхността е само 1/5 от количеството на металните уплътнения. В комбинация с ултра-високата твърдост на SIC покритието (HV2500 или повече), той може ефективно да устои на драскотини върху уплътняващата повърхност, причинена от механична вибрация или въздействие на частиците, и да поддържа микроскопична плоскост.

V. Препоръки за поддръжка

1. Регулярно проверете износването на уплътняващата повърхност (препоръчва се тримесечна оптична микроскопска проверка), за да избегнете внезапна повреда.  

2. Използвайте специални почистващи препарати (като безводен етанол) За отстраняване на отлагания, забранете механичното смилане, за да се предотврати увреждане на SIC покритието.