Какво е порест графит? - VeTek Semiconductor

Порест графите конструиран въглероден материал, съдържащ мрежа от пори в своята графитна структура. Неговите ключови характеристики включват порьозност, разпределение на размера на порите, пропускливост, обемна плътност и термични свойства. В производството на полупроводници избрани порести графитни компоненти с висока чистота се използват в системи за растеж на кристали от силициев карбид (SiC) за физически изпарителен транспорт (PVT) за поддържане на специфични функции за пренос на газ и термично поле. Ефективността на материала зависи от степента на графит, структурата на порите, чистотата и условията на работа.

Порестата структура на графита

Порест графит е продукт с пореста структура, изработен от графит като основен материал. Материалът му е изработен от графит с висока чистота. Физическите параметри на VeTek Semiconductor Porous Graphite варират в зависимост от производствения процес и конкретното приложение. Следните са общи физически параметри:

Порестият графит е направен от графит с висока чистота и има отлична електрическа проводимост, топлопроводимост, устойчивост на висока температура, устойчивост на окисление, химическа стабилност и други характеристики. Той се използва широко в производството на полупроводници.

В процеса на обработка на полупроводници порестият графит се използва широко в следните аспекти:

В комбинация с отличната устойчивост на висока температура и химическа стабилност на Porous Graphite, като например добра устойчивост на корозия към повечето химикали като киселини, основи и разтворители, Porous Graphite често се използва в оборудване за високотемпературно синтероване и термична обработка. Например, порестият графит може да се използва като облицовка, изолационен материал или поддържащ материал за високотемпературни пещи.

освен това

SiC Crystal Growth Порест графитен компонентима отлична електрическа проводимост и термична стабилност, за да осигури равномерно термично поле и стабилни електрически свойства. Поради това този продукт често се използва в процеса на дифузия или окисление при обработка на полупроводници като източник на дифузия или електроден материал.

Порестата структура на Porous Graphite може да филтрира и пречиства газове, използвани при обработката на полупроводници, да намали възможното замърсяване с частици и да осигури висока чистота по време на обработката. Със своята пореста структура и добра въздухопропускливост, частите от порест графит могат също да се използват като основа и приспособление във вакуумна адсорбционна система за фиксиране на пластини или други компоненти чрез ефективна вакуумна адсорбция.

Чрез регулиране на процеса на синтероване на графит, VeTek Semiconductor можеперсонализирайте порести графитни материали с различни размери на порите и порьозност, за да отговарят на различни изисквания за приложение.

                                                                                                  Порест графит                 SiC кристален растеж на порест графит           Графитен тигел с три венчелистчета

Всъщност VeTek Semiconductor има абсолютна пазарна лидерска позиция на китайския пазар на графитни възприемчици с sic покритие, пазара на графитни тигели с tac покритие и пазара на графитни тави с покритие от силициев карбид. VeTek Semiconductor е професионален китайски производител, доставчик и фабрика на специални графитни продукти, като напр.SiC кристален растеж на порест графит, Пиролитично въглеродно покритие, Стъклообразно въглеродно покритие, Изотропен графит, Силиконизиран графитиГрафитен лист с висока чистота. ние се ангажираме да предоставяме модерни решения за различни продукти от специален графит за полупроводниковата индустрия.

Ако имате запитвания или се нуждаете от допълнителни подробности, моля не се колебайте да се свържете с нас.

Моб/WhatsAPP: +86-180 6922 0752

Имейл: anny@veteksemi.com