Уеб меню

Търсене на продукти

език

Продукти

Покритие от танталов карбид

VeTek semiconductor е водещ производител на материали за покритие от танталов карбид за полупроводниковата индустрия. Нашите основни продуктови предложения включват части с покритие от танталов карбид CVD, части с покритие от синтерован TaC за растеж на кристали SiC или процес на епитаксия на полупроводници. Преминал ISO9001, VeTek Semiconductor има добър контрол върху качеството. VeTek Semiconductor е посветен да стане новатор в индустрията за покритие от танталов карбид чрез непрекъснати изследвания и развитие на итеративни технологии.


Основните продукти саВодещ пръстен с TaC покритие, Водещ пръстен с три венчелистчета с CVD TaC покритие, Полумесец с покритие от танталов карбид TaC, CVD TaC покритие планетарен SiC епитаксиален фиксатор, Пръстен с покритие от танталов карбид, Порест графит с покритие от танталов карбид, TaC Coating Rotation Susceptor, Пръстен от танталов карбид, Въртяща се плоча с покритие TaC, ТаС покритие за вафлен приемник, Дефлекторен пръстен с TaC покритие, CVD TaC покритие, Патронник с покритие TaCи т.н., чистотата е под 5ppm, може да отговори на изискванията на клиента.


Графитът с TaC покритие се създава чрез покриване на повърхността на графитен субстрат с висока чистота с фин слой танталов карбид чрез собствен процес на химическо отлагане на пари (CVD). Предимството е показано на снимката по-долу:


Excellent properties of TaC coating graphite


Покритието от танталов карбид (TaC) привлече вниманието поради високата си точка на топене до 3880°C, отлична механична якост, твърдост и устойчивост на термични удари, което го прави привлекателна алтернатива на процесите на комбинирана полупроводникова епитаксия с по-високи температурни изисквания, като Aixtron MOCVD система и LPE SiC епитаксиален процес. Също така има широко приложение в PVT метод SiC процес на растеж на кристали.


Ключови характеристики:

 ●Температурна стабилност

 ●Ултра висока чистота

 ●Устойчивост на H2, NH3, SiH4,Si

 ●Устойчивост на топлинен запас

 ●Силна адхезия към графит

 ●Конформно покритие на покритието

 ● Размер до 750 mm диаметър (единственият производител в Китай достига този размер)


Приложения:

 ●Вафлен носител

 ● Индуктивен топлинен приемник

 ● Резистивен нагревателен елемент

 ●Сателитен диск

 ●Душ слушалка

 ●Водещ пръстен

 ●LED Epi приемник

 ●Инжекционна дюза

 ●Маскиращ пръстен

 ● Топлинен щит


Покритие от танталов карбид (TaC) върху микроскопично напречно сечение:


the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating


Параметър на VeTek Semiconductor танталов карбид покритие:

Физични свойства на TaC покритието
Плътност 14,3 (g/cm³)
Специфична излъчвателна способност 0.3
Коефициент на термично разширение 6.3 10-6/К
Твърдост (HK) 2000 HK
Съпротива 1×10-5Ом*см
Термична стабилност <2500 ℃
Размерът на графита се променя -10~-20um
Дебелина на покритието ≥20um типична стойност (35um±10um)


TaC покритие EDX данни：

EDX data of TaC coating


Данни за кристалната структура на покритието TaC:

елемент Атомен процент
Пт. 1 Пт. 2 Пт. 3 Средно
C K 52.10 57.41 52.37 53.96
М 47.90 42.59 47.63 46.04


View as  
 
Порестов графит с покрит с карбид

Порестов графит с покрит с карбид

Порестият графит с карбид с карбид Tantalum е незаменим продукт в процеса на обработка на полупроводници, особено в процеса на растеж на кристалите на SIC. След непрекъснатите инвестиции в научноизследователска и развойна дейност и модернизиране на технологиите, качеството на пореста графитна продукция на Vetek Semiconductor е спечелила висока оценка от европейските и американските клиенти. Добре дошли във вашата допълнителна консултация.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
CVD TAC покритие планетарен SIC епитаксиален престол

CVD TAC покритие планетарен SIC епитаксиален престол

CVD TAC покритие Планетарен SIC Епитаксиален сумптор е един от основните компоненти на планетарния реактор на MOCVD. Through CVD TaC coating planetary SiC epitaxial susceptor, the large disk orbits and the small disk rotates, and the horizontal flow model is extended to multi-chip machines, so that it has both the high-quality epitaxial wavelength uniformity management and defect optimization of single -CHIP машини и предимствата на производствените разходи на много чип машини. Ако искате също да направите планетарна пещ на MoCVD като Aixtron, елате при нас!
Виж повече >> Изпратете запитване >>
Tac покрит пръстен

Tac покрит пръстен

Като водещ производител и доставчик на пръстенови продукти с покритие от TAC, полупроводник Vetek се фокусира върху научноизследователската и развойна дейност и производството на различни продукти за покритие на TAC. Като основни клиенти на продуктите за покритие на TAC, европейските и американските производители дадоха висока оценка на нашите продукти за покритие. Добре дошли във вашата допълнителна консултация.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
Gan Epitaxy Undertaker

Gan Epitaxy Undertaker

Vetek Semiconductor е китайска компания, която е производител на световна класа и доставчик на Gan Epitaxy Sudceptor. Ние работим в полупроводниковата индустрия като покрития от силициев карбид и ган ​​епитакси от дълго време. Можем да ви предоставим отлични продукти и благоприятни цени. Vetek Semiconductor очаква с нетърпение да стане ваш дългосрочен партньор.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
ТАК покрито с вафли вафли на вафли

ТАК покрито с вафли вафли на вафли

Vetek Semiconductor Tac покритие с вафли е графитен табла, покрита с танталум карбид за епитаксиален растеж на силициев карбид, за да се подобри качеството и ефективността на вафлите. VETEK е избран поради своята усъвършенствана технология на покритие и издръжливи решения, за да осигури отлични резултати от Epitaxy на SIC и разширен живот на Sumpector, приветствайте по -нататъшните си запитвания.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
TAC покритие Ръководство за пръстени

TAC покритие Ръководство за пръстени

Като водещ производител на ръководство за покритие на TAC продукти в Китай, Vetek Semiconductor TAC покритие с покритие са важни компоненти в оборудването на MOCVD, като гарантират точното и стабилно доставяне на газ по време на епитаксиален растеж и са незаменим материал при полупроводниковия епитаксиален растеж. Добре дошли да се консултирате с нас.
Виж повече >> Изпратете запитване >>
Като професионалист Покритие от танталов карбид производител и доставчик в Китай, ние имаме собствена фабрика. Независимо дали се нуждаете от персонализирани услуги, за да отговорите на специфичните нужди на вашия регион или искате да закупите модерни и издръжливи Покритие от танталов карбид, направени в Китай, можете да ни оставите съобщение.
Препоръки за новини
Каква е разликата между силициев карбид и покрития с карбид на танталум?
Каква е разликата между силициев карбид и покрития с карбид на танталум?Виж повече >>
С какви предизвикателства се сблъсква процесът на нанасяне на CVD TaC покритие за растеж на монокристал SiC при обработката на полупроводници?
С какви предизвикателства се сблъсква процесът на нанасяне на CVD TaC покритие за растеж на монокристал SiC при обработката на полупроводници?Виж повече >>
Пълно обяснение на процеса на производство на чипове (2/2): от вафла до опаковане и тестване
Пълно обяснение на процеса на производство на чипове (2/2): от вафла до опаковане и тестванеВиж повече >>
Навийте се! Двама големи производители са на път да произвеждат масово 8-инчов силициев карбид
Навийте се! Двама големи производители са на път да произвеждат масово 8-инчов силициев карбидВиж повече >>
Каква е разликата между CVD TAC и Snerited TAC?
Каква е разликата между CVD TAC и Snerited TAC?Виж повече >>
Как да избера MOCVD графитен табла?
Как да избера MOCVD графитен табла?Виж повече >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept