Покритие от танталов карбид

Vetek Semiconductor е водещ производител и новатор на пръстени с тритонези, покрити с TAC. Ние сме специализирани в TAC и SIC покритие от много години. Нашите продукти имат устойчивост на корозия, висока якост. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Vetek Semiconductor е водещ производител на патронник и новатор, покрито с карбид Tantalum. Ние сме специализирани в TAC покритие от много години. Нашите продукти имат висока чистота и висока температурна устойчивост до 2000 ℃. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Vetek Semiconductor е водещ производител на покритие и новатор на покритие с карбид Tantalum. Ние сме специализирани в TAC и SIC покритие от много години. Нашите продукти имат устойчивост на корозия, висока якост. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Vetek Semiconductor е водещ доставчик на персонализиран Ultra Pure Graphite долен полумесец в Китай, специализиран в напреднали материали в продължение на много години. Нашият Ultra Pure Graphite долен полумесец е специално проектиран за Epitaxial оборудване SIC, осигурявайки отлична производителност. Произведен от ултра-пури вносен графит, той предлага надеждност и издръжливост. Посетете нашата фабрика в Китай, за да разгледате нашата висококачествена Ultra Pure Graphite долен полумесец от първа ръка.

Vetek Semiconductor е водещ доставчик на персонализиран горен полумесец, покрит в Китай, специализиран в модерни материали за повече от 20 години. Vetek Semiconductor горната част на половинмун част SIC покритие е специално проектирано за SIC епитаксиално оборудване, което служи като решаващ компонент в реакционната камера. Изработен от графит с ултра-пури, полупроводникови, той осигурява отлично представяне. Каним ви да посетите нашата фабрика в Китай.

Vetek Semiconductor е водещ персонализиран доставчик на превозвачи за епитаксия на силициев карбид в Китай. Ние сме специализирани в напреднали материали повече от 20 години. Предлагаме силициев карбид епитаксична вафла за носене на SIC субстрат, отглеждащ SIC е епитаксийски слой в SIC епитаксиален реактор. Този носител на вафли на силициев карбид е важна част от SIC, покрита с половин местна част, висока температурна устойчивост, устойчивост на окисляване, устойчивост на износване. Приветстваме ви да посетите нашата фабрика в Китай.